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晶方科技：2000万美元投资第三代半导体GaN器件设计公司VisIC
 评论 ⋅  2022-02-09 10:40
赛微电子：GaN（氮化镓）制造产线正在建设中
 评论 ⋅  2022-01-24 09:25
GaN功率半导体的可靠性挑战与应对之策
 评论 ⋅  2022-01-13 16:02
国星三代半再出新品，SiC模块、GaN器件、SiC功率分立器件齐上新
 评论 ⋅  2022-01-10 21:18
纳微半导体宣布在上海成立一个电动车GaN芯片设计中心
 评论 ⋅  2022-01-07 14:48
第三代半导体-氮化镓(GaN)产业链基本形成
第三代半导体氮化镓GaN产业链基本形成
 评论 ⋅  2021-12-29 15:57
国星光电：公司第三代半导体新产品GaN-DFN器件可应用于新能源汽车充电、手机快充等
国星光电第三代半导体新产品GaN-DFN器件新能源汽车充电手机快充
 评论 ⋅  2021-12-24 18:36
河北半导体研究所高楠：国产4英寸GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料
 评论 ⋅  2021-12-23 16:16
西电张进成教授团队最新成果：基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
 评论 ⋅  2021-12-22 16:28
无锡诞生全球最薄半导体GaN晶体，厚度突破1厘米！
 评论 ⋅  2021-12-16 22:19
中科院半导体研究所张连：亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:47
南京电子器件研究所张凯：大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用
 评论 ⋅  2021-12-14 14:46
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心曾建平：宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:42
日本德岛大学教授敖金平：转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:40
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
北京大学物理学院杨学林：Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:52
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
西交利物浦大学王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的单片比较器用于高温应用的MIS-HEMT
 评论 ⋅  2021-12-13 11:47
南方科技大学深港微电子学院汪青：GaN器件及其系统的最新研究进展
 评论 ⋅  2021-12-13 11:41
深圳大学微电子研究院刘新科：2寸独立晶圆上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2021-12-13 11:39
电子科技大学李曦：GaN HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:29
西安电子科技大学宁静：基于维度调控的GaN紫外LED及光电集成
 评论 ⋅  2021-12-11 16:04
中山大学江灏：利用界面效应的高Al组分AlGaN的高效p型掺杂及其深紫外光电探测应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:01
郑州大学Mussaab I. Niass：蓝宝石衬底上BGaN基深紫外边发射激光二极管的仿真研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:04
挪威科学院院士Helge WEMAN：使用石墨烯作为透明导电衬底的AlGaN纳米线UV LED
 评论 ⋅  2021-12-10 15:38
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif：铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
 评论 ⋅  2021-12-10 15:35
第三代半导体产业乘风破浪，谁将会傲立潮头？
第三代半导体氮化镓碳化硅GaN衬底Micro-LEDCOBMiniCOB
 评论 ⋅  2021-11-30 21:05
功率半导体：新能源需求引领，行业快速发展
SiCGaN第三代半导体功率半导体
 评论 ⋅  2021-11-26 12:05
国星光电：公司Micro LED芯片实现小批量供货 已开展GaN功率器件研发工作
 评论 ⋅  2021-11-25 16:13
IFWS 2021前瞻：中科院半导体研究所副所长张韵将出席射频电子器件与应用论坛
中科院半导体研究所副所长张韵亚毫米波段GaN基HEMT
 评论 ⋅  2021-11-22 15:53
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