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闻泰科技：公司预计包括SiC、GaN和IGBT在内的高压功率器件和模拟芯片产品将从2025年底开始逐步放量
 评论 ⋅  2025-03-28 15:02
重磅发布｜九峰山实验室GaN系列成果首次发布！
九峰山实验室GaN研究成果8英寸氮化镓衬底
 评论 ⋅  2025-03-24 09:29
材料深一度｜一篇带你了解GaN HEMT最全产品情况
 评论 ⋅  2025-03-19 16:42
中企竞标收购比利时氮化镓厂商BelGaN
 评论 ⋅  2025-03-14 09:58
中国科大杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-20 15:09
武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-02-14 14:46
UIS应力下GaN HEMT在线测试方法征求意见
 评论 ⋅  2025-02-07 15:52
比利时氮化镓制造商BelGaN破产，中国买家竞购设备资产
 评论 ⋅  2025-01-21 07:52
丰田合成开发出8英寸GaN单晶晶圆
 评论 ⋅  2025-01-09 15:56
南京邮电大学研究团队在用于低功率光通信的GaN/CuI异质结构紫外光伏探测器取得进展
 评论 ⋅  2025-01-02 12:06
安徽格恩半导体申请GaN基化合物半导体激光元件专利，提升光束质量因子
 评论 ⋅  2024-12-26 15:08
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-25 10:09
纳维达斯半导体申请 GaN 半桥电路等专利，提升电路性能
 评论 ⋅  2024-12-24 15:54
北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 17:17
苏州立琻半导体申请p型AlGaN材料及其制备等专利，提高了p型AlGaN材料的空穴浓度
 评论 ⋅  2024-12-20 15:51
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利，实现高频能力
 评论 ⋅  2024-12-19 16:26
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
南京大学在宇航用抗辐照GaN功率器件方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-18 20:06
华灿光电拟将GaN募投项目建成时间延长至明年底
 评论 ⋅  2024-12-11 16:10
平湖实验室何光泽：面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用| IFWS2024
 评论 ⋅  2024-11-29 13:52
姚威振：新型MOCVD反应器设计，促进GaN材料创新发展 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 13:58
许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
GaN+SiC！纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源
 评论 ⋅  2024-11-08 11:05
无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利，保证器件的高速开关
 评论 ⋅  2024-10-29 17:53
中国科大微电子学院在GaN HEMT开关瞬态建模方向取得新进展
 评论 ⋅  2024-10-29 17:45
新洁能：SiC/GaN项目年底竣工投产
 评论 ⋅  2024-10-22 10:07
中国科大微电子学院在GaN功率电子器件浪涌特性研究方向取得新进展
 评论 ⋅  2024-10-10 20:42
中科院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-10 11:14
东南大学信息科学与工程学院150nmGaN芯片流片采购项目竞争性磋商公告
 评论 ⋅  2024-10-08 15:42
中科大孙海定iGaN实验室研究三维垂直集成microLED阵列实现无掩膜深紫外光刻新技术
 评论 ⋅  2024-09-30 19:58
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