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许福军、沈波团队成功实现垂直注入Al
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基深紫外发光器件的晶圆级制备
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+SiC!纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源
无锡博通申请半桥
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增强型开关器件及其制备方法专利,保证器件的高速开关
中国科大微电子学院在
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HEMT开关瞬态建模方向取得新进展
新洁能:SiC/
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项目年底竣工投产
中国科大微电子学院在
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功率电子器件浪涌特性研究方向取得新进展
中科院微电子所在
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器件研究方面取得重要进展
东南大学信息科学与工程学院150nm
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芯片流片采购项目竞争性磋商公告
中科大孙海定i
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实验室研究三维垂直集成microLED阵列实现无掩膜深紫外光刻新技术
英诺赛科
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:开启高效、便携的电子产品新时代
法国
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企业获应用材料、台湾工研院投资
国博电子:上半年发布多款
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射频模块产品,预计下半年开发并应用新一代的产品
信越化学面向
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半导体开发出大型基板
江苏能华微取得
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肖特基二极管相关专利,有效提高了
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肖特基二极管的性能
氮化镓名企Bel
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宣告破产,潜在竞购者报价1.3亿欧元
机构:2023 年全球
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功率元件市场规模约 2.71 亿美元
豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构
GaN
基光电子芯片的制备方法专利,有效提高微纳结构中有源层的发光效率
CASA立项
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HEMT非钳位感性负载开关鲁棒性测试方法1项团体标准
又一
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企业宣告破产!
德高化成第三代半导体
GaN
倒装芯片LED封装制造扩产项目开工
标准 | 2项
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HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案
全球SiC和
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功率半导体市场2034年将增至110.8亿美元
万年晶
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项目已投产
西安电子科技大学
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-on-Si/SOI外延片采购公开招标公告二次
北京大学在
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功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
闻泰科技:已实现
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产品D-M系列产品销售和SiC整流管的工业消费级量产
西安电子科技大学
GaN
-on-Si/SOI 外延片采购公开招标公告
CASICON晶体大会前瞻|才道精密仪器马观岚:SiC/
GaN
衬底和外延片检测设备国产化
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芯片龙头「英诺赛科」,递交IPO招股书,拟香港上市,中金、招银联席保荐
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ational:
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功率器件引领革新风潮
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