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科技成果推介｜增强型GaN电力电子器件
 评论 ⋅  2024-06-12 16:05
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
CASICON晶体大会前瞻 |广东工业大学张紫辉：界面缺陷效应对 GaN功率电子器件的影响研究
 评论 ⋅  2024-05-29 11:12
Power Integrations收购GaN开发商Odyssey半导体资产
 评论 ⋅  2024-05-08 16:32
国博电子：公司GaN射频模块主要应用于4G、5G基站设备中，积极布局6G移动通信应用
 评论 ⋅  2024-05-08 10:48
技术进展|突破性研究：GaN-on-Diamond键合界面热阻显著降低
 评论 ⋅  2024-05-06 13:57
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-22 15:07
能华半导体张家港制造中心（二期）项目动工，将新建6英寸GaN外延片产线
 评论 ⋅  2024-04-22 11:46
CSPSD 2024成都前瞻|海思科技包琦龙：ICT 场景下中低压 (<200V) GaN 器件应用挑战
 评论 ⋅  2024-04-19 15:23
CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技刘勇：PGaN增强型GaN功率器件设计与仿真技术
 评论 ⋅  2024-04-19 15:02
CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半导体刘成：应用于工业及汽车市场的GaN功率器件制造技术
 评论 ⋅  2024-04-19 09:57
国家重点研发计划“单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件研究”项目启动
 评论 ⋅  2024-04-18 17:29
CSPSD 2024成都前瞻|广东工业大学张紫辉：GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究
 评论 ⋅  2024-04-18 13:41
CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大学孙佳慧：肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的栅极抗静电鲁棒性
 评论 ⋅  2024-04-17 16:46
CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料实验室王方洲：低损耗高耐压Si基GaN双向阻断功率器件研究
 评论 ⋅  2024-04-17 16:32
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-16 15:54
CSPSD 2024成都前瞻|北京大学魏进：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一样简单易用？
 评论 ⋅  2024-04-15 16:35
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-07 19:21
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
品牌推荐│BelGaN诚邀您参加CSE化合物半导体产业博览会
 评论 ⋅  2024-03-14 10:20
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:11
成果推荐 | 硅衬底上基于高Al组分AlInGaN势垒层射频微波器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:04
丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋GaN衬底
 评论 ⋅  2024-03-11 16:54
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2024-03-07 09:47
扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-03-04 17:01
8英寸SiC和GaN晶圆厂项目签约福建
 评论 ⋅  2024-02-22 16:45
英飞凌、京瓷GaN/SiC新动作
 评论 ⋅  2024-02-09 18:06
北大团队新型器件技术加速GaN进入工业与汽车应用
 评论 ⋅  2024-02-08 19:58
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