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能华半导体张家港制造中心（二期）项目动工，将新建6英寸GaN外延片产线
 评论 ⋅  2024-04-22 11:46
CSPSD 2024成都前瞻|海思科技包琦龙：ICT 场景下中低压 (<200V) GaN 器件应用挑战
 评论 ⋅  2024-04-19 15:23
CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技刘勇：PGaN增强型GaN功率器件设计与仿真技术
 评论 ⋅  2024-04-19 15:02
CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半导体刘成：应用于工业及汽车市场的GaN功率器件制造技术
 评论 ⋅  2024-04-19 09:57
国家重点研发计划“单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件研究”项目启动
 评论 ⋅  2024-04-18 17:29
CSPSD 2024成都前瞻|广东工业大学张紫辉：GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究
 评论 ⋅  2024-04-18 13:41
CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大学孙佳慧：肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的栅极抗静电鲁棒性
 评论 ⋅  2024-04-17 16:46
CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料实验室王方洲：低损耗高耐压Si基GaN双向阻断功率器件研究
 评论 ⋅  2024-04-17 16:32
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-16 15:54
CSPSD 2024成都前瞻|北京大学魏进：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一样简单易用？
 评论 ⋅  2024-04-15 16:35
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-07 19:21
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
品牌推荐│BelGaN诚邀您参加CSE化合物半导体产业博览会
 评论 ⋅  2024-03-14 10:20
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:11
成果推荐 | 硅衬底上基于高Al组分AlInGaN势垒层射频微波器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:04
丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋GaN衬底
 评论 ⋅  2024-03-11 16:54
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2024-03-07 09:47
扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-03-04 17:01
8英寸SiC和GaN晶圆厂项目签约福建
 评论 ⋅  2024-02-22 16:45
英飞凌、京瓷GaN/SiC新动作
 评论 ⋅  2024-02-09 18:06
北大团队新型器件技术加速GaN进入工业与汽车应用
 评论 ⋅  2024-02-08 19:58
新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,能带工程，光电探测器,深圳大学,垂直异质集成
 评论 ⋅  2024-02-01 11:30
福州新区新增两个GaN项目签约
 评论 ⋅  2024-01-29 17:30
联合攻关成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功
 评论 ⋅  2024-01-24 17:49
厦门大学团队演示可同步辐射正交线偏振绿光的半极性InGaN基MCLED
 评论 ⋅  2024-01-24 17:32
北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利，提高GaN HEMT的动态稳定性
 评论 ⋅  2024-01-17 10:07
华南师范大学王幸福：GaN微纳结构及其光电子器件研究
GaN微纳米器件紫外探测器件
 评论 ⋅  2024-01-15 13:26
三安宣布进军美洲市场，为市场提供SiC和GaN功率半导体产品
LuminusDevices湖南三安半导体Luminus湖南三安SiCGaN
 评论 ⋅  2024-01-12 10:37
瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容
 评论 ⋅  2024-01-11 15:57
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