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新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,能带工程，光电探测器,深圳大学,垂直异质集成
 评论 ⋅  2024-02-01 11:30
福州新区新增两个GaN项目签约
 评论 ⋅  2024-01-29 17:30
联合攻关成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功
 评论 ⋅  2024-01-24 17:49
厦门大学团队演示可同步辐射正交线偏振绿光的半极性InGaN基MCLED
 评论 ⋅  2024-01-24 17:32
北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利，提高GaN HEMT的动态稳定性
 评论 ⋅  2024-01-17 10:07
华南师范大学王幸福：GaN微纳结构及其光电子器件研究
GaN微纳米器件紫外探测器件
 评论 ⋅  2024-01-15 13:26
三安宣布进军美洲市场，为市场提供SiC和GaN功率半导体产品
LuminusDevices湖南三安半导体Luminus湖南三安SiCGaN
 评论 ⋅  2024-01-12 10:37
瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容
 评论 ⋅  2024-01-11 15:57
香港中文大学（深圳）冀东：GaN同质外延中的雪崩特性
GaN同质外延雪崩击穿电离系数功率器件雪崩光电二极管
 评论 ⋅  2024-01-10 11:53
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场
英诺赛科100V车规级GaN汽车激光雷达
 评论 ⋅  2023-12-29 18:02
简述氮化镓(GaN)的应用市场
 评论 ⋅  2023-12-27 16:42
ULVAC牛山史三：GaN溅射技术进展
 评论 ⋅  2023-12-27 14:34
南京大学庄喆：基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件
 评论 ⋅  2023-12-27 13:50
深圳大学刘新科：低成本垂直GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-12-26 11:51
西安电子科技大学游淑珍：面向1200V功率应用的异质衬底横向和垂直GaN器件发展趋势
 评论 ⋅  2023-12-25 16:32
大阪公立大学梁剑波：增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能，以适应实际器件应用
 评论 ⋅  2023-12-22 16:31
多伦多大学吴伟东：用于电动汽车的液冷GaN和SiC功率模块
 评论 ⋅  2023-12-22 11:30
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
北京大学申请GaN与碳纳米管CMOS电路专利
 评论 ⋅  2023-12-18 15:47
IFWS 2023│华南师范大学尹以安：具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
 评论 ⋅  2023-12-18 10:11
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
IFWS 2023│日本国立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
 评论 ⋅  2023-12-08 16:04
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
 评论 ⋅  2023-12-08 15:32
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟：助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-07 15:07
CASAS正式成立SiC/GaN功率器件与模块工作组
 评论 ⋅  2023-12-07 08:43
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
IFWS 2023│南京大学蔡青：AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器的优化设计及击穿机理研究
 评论 ⋅  2023-11-29 19:53
IFWS&SSLCHINA 2023│英诺赛科欧洲总经理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本
 评论 ⋅  2023-11-29 09:39
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠：利用沟槽结构生长高效率InGaN红光
 评论 ⋅  2023-11-27 22:08
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