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河工大张紫辉团队在GaN基Micro-LED方面获得新进展
 评论 ⋅  2022-11-28 17:13
浅述GaN功率器件的发展
 评论 ⋅  2022-11-28 15:40
中镓半导体：挑战最高GaN体电阻率，开发更高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底
 评论 ⋅  2022-11-25 17:53
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-21 15:29
标准 | CASA立项《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》等5项团体标准
 评论 ⋅  2022-11-21 15:27
北京交大科研团队提出GaN器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
 评论 ⋅  2022-11-17 16:42
简述提高GaN效率的新掺杂技术
 评论 ⋅  2022-11-16 10:25
纳微氮化镓（GaN）半桥功率芯片专利布局解读
 评论 ⋅  2022-11-14 16:07
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:26
简述纳微GaNSense技术及专利布局
 评论 ⋅  2022-11-03 17:51
华微电子：积极布局以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件技术
 评论 ⋅  2022-10-28 15:57
格芯获得 3000 万美元政府资金用于氮化镓 GaN 芯片生产
 评论 ⋅  2022-10-18 17:09
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-17 17:17
简述使用不同类型GaN FET 设计提高系统设计功率密度
 评论 ⋅  2022-10-10 17:51
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:10
台积电积极布局第三代半导体，二代硅基GaN技术平台年内完成
 评论 ⋅  2022-10-08 08:44
宏光半导体获协鑫朱共山入股 携手发展第三代半导体GaN业务
 评论 ⋅  2022-10-08 08:19
芯导科技：第三代半导体650VGaNHEMT产品预计今年可实现量产
 评论 ⋅  2022-09-27 17:05
深圳大学刘新科研究员团队研发出自支撑GaN衬底上的高性能常关型PGaN栅极HEMT
 评论 ⋅  2022-09-22 08:56
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-09-19 17:45
第三代半导体氮化镓（GaN）产业剖析
 评论 ⋅  2022-09-14 15:03
SK Siltron 计划成立合资公司开发 SiC和GaN芯片
 评论 ⋅  2022-09-14 10:07
宏光半导体携手协鑫集团 布局GaN功率芯片在新能源领域应用
 评论 ⋅  2022-09-08 16:55
金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用
 评论 ⋅  2022-09-06 19:28
Wolfspeed：GaN HEMT 大信号模型
 评论 ⋅  2022-08-23 10:55
上海福赛特：打造中国领先的LED/GaN半导体AMHS设备提供商
 评论 ⋅  2022-08-17 15:52
住友化学合并GaN衬底子公司Sciox
 评论 ⋅  2022-08-05 13:44
芯导科技：已经成功推出几款GaN产品
 评论 ⋅  2022-08-01 17:14
闻泰科技：公司在第三代化合物半导体方面布局了GaN与SiC
 评论 ⋅  2022-08-01 11:24
大阪大学、丰田合成等合作利用Na助熔剂法培育出世界上最大的6英寸高品质GaN晶体
 评论 ⋅  2022-07-25 17:14
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