首页 > 新闻资讯 > 搜索
中昊芯英斩获2024年第十九届“中国芯”最高奖“年度重大创新突破产品”
 评论 ⋅  2024-11-11 05:08
晶盛机电：实现8-12英寸半导体大硅片设备的国产化突破
 评论 ⋅  2024-11-05 14:32
1万伏！我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
 评论 ⋅  2024-11-05 09:24
英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效
 评论 ⋅  2024-10-30 19:37
英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效
 评论 ⋅  2024-10-30 09:51
金刚石膜取得大突破！
 评论 ⋅  2024-10-25 15:59
广东：力争到2030年取得超10项光芯片核心技术突破
 评论 ⋅  2024-10-22 09:39
工信部：高级自动驾驶技术有望实现新的重大突破
 评论 ⋅  2024-10-18 10:07
至芯半导体取得重大突破，推出高光效UV器件
 评论 ⋅  2024-10-16 09:08
我国在太阳能电池领域取得新突破
 评论 ⋅  2024-10-15 18:09
国产半导体专用光刻胶领域实现重大突破，已通过量产验证！
 评论 ⋅  2024-10-15 15:18
电子科大国家工程技术研究中心在二维单相多铁方向取得重大突破
 评论 ⋅  2024-10-14 09:30
北京大学电子学院陈景标研究团队在原子钟领域取得重要突破
 评论 ⋅  2024-10-14 09:25
Nature | 康奈尔大学：光电功能器件最新突破
 评论 ⋅  2024-10-11 16:32
九峰山实验室再次在硅光子集成领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2024-10-08 08:53
济南比亚迪今年生产新能源车力争突破30万辆
 评论 ⋅  2024-09-20 11:08
中国科大在仿生光电神经感知器件领域取得新突破
 评论 ⋅  2024-09-12 20:58
立昂晶电：实现磷化铟半导体材料技术突破 获评雏鹰企业
 评论 ⋅  2024-09-10 18:23
国创中心联合研发中心逐步发力，“超高性能同质外延Micro-LED”取得新突破
 评论 ⋅  2024-09-09 17:37
我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术
 评论 ⋅  2024-09-03 16:46
突破！鸿海布局第四代半导体跨大步
 评论 ⋅  2024-08-29 13:56
北京理工大学团队在杂化范德华外延生长研究方向取得重要突破
 评论 ⋅  2024-08-14 14:11
国内高校实现Micro LED技术突破，涉及深紫外、光通讯
 评论 ⋅  2024-08-13 16:24
我国科学家实现材料突破，可用于开发低功耗芯片
 评论 ⋅  2024-08-09 10:22
IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破
 评论 ⋅  2024-08-08 08:58
晶钻科技同质外延单晶金刚石新突破
 评论 ⋅  2024-08-06 11:26
西电在逻辑运算器件领域取得重要突破
 评论 ⋅  2024-08-06 09:47
宁波晶钻同质外延单晶金刚石再次突破3.35英寸
 评论 ⋅  2024-08-02 11:01
厦门市未来显示技术研究院：突破“屏”颈 竞逐未来显示新赛道
 评论 ⋅  2024-07-26 17:19
新突破︱镓仁半导体晶圆级(010)氧化镓单晶衬底直径突破3英寸
 评论 ⋅  2024-07-16 10:54
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部