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日本产业技术综合研究所沈旭强：无氨高温 MOCVD 生长的高质量极性和半极性氮化铝
 评论 ⋅  2021-12-23 16:29
中镓半导体刘强：2英寸低位错密度高电导率和半绝缘氮化镓自支撑衬底的生长
 评论 ⋅  2021-12-23 16:20
中科院半导体所张逸韵：基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:22
郑州大学刘玉怀：六方氮化硼薄膜在不同衬底上的生长研究综述
 评论 ⋅  2021-12-10 17:11
山东力冠微电子孙军伟：第三代半导体晶体生长及相关装备进展
 评论 ⋅  2021-10-08 11:03
【CASICON 2021】北京大学杨学林：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
 评论 ⋅  2021-09-16 11:46
晶盛机电：首台12英寸硬轴直拉炉成功生长出硅单晶
 评论 ⋅  2021-07-23 15:00
晶盛机电：成功生长出 6 英寸碳化硅晶体
 评论 ⋅  2021-07-05 15:48
晶盛机电：12英寸单晶硅生长炉及部分加工设备已实现批量销售
 评论 ⋅  2021-05-19 10:39
晶格领域：公司液相法生长碳化硅晶圆项目开始试生产
 评论 ⋅  2021-04-09 15:34
奧趋光电：氮化铝单晶生长技术进展及其未来挑战
 评论 ⋅  2021-03-10 14:50
沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学Iman S. ROQAN：原位无位错多晶GaN层在宽范围衬底上生长高效率的无催化剂GaN纳米线
 评论 ⋅  2020-12-23 15:27
日本名古屋大学宇治原徹：CFD模拟预测系统在SiC生长中的应用
 评论 ⋅  2020-12-23 15:22
山东大学张雷：温度梯度对PVT法生长AlN晶体的影响
 评论 ⋅  2020-12-15 16:06
日本国立佐贺大学郭其新：超宽带隙氧化镓的低温生长和表征
 评论 ⋅  2020-12-11 15:32
北京大学杨学林：硅衬底上氮化物大失配异质外延生长
 评论 ⋅  2020-12-09 16:33
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