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镓特半导体取得一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器专利，能够提升氮化镓晶圆片生长尺寸
 评论 ⋅  2025-03-31 10:38
采用金属有机化学气相沉积原位脉冲铝原子辅助法生长的（001）β-Ga2O3外延层
 评论 ⋅  2025-03-28 16:11
镓仁半导体氧化镓单晶生长突破性成果在晶体领域顶刊Crystal Growth & Design上发表
 评论 ⋅  2025-02-11 09:20
浙江材孜科技取得碳化硅单晶生长装置专利，有利于生长空间的稳定性
 评论 ⋅  2024-12-24 16:04
郑州势垒取得用于金刚石生长的 MPCVD 装置专利，能有效隔离外界空气维持真空工作环境
 评论 ⋅  2024-12-23 15:15
南京集芯光电取得一种氮化镓生长加热炉专利，解决氮化镓采取和附着问题，提高产量
 评论 ⋅  2024-12-20 16:01
镓和半导体李山： 氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究
 评论 ⋅  2024-12-12 15:51
中微公司陈丹莹：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-05 11:07
杭州镓仁半导体实现直拉法2英寸N型氧化镓单晶生长
 评论 ⋅  2024-11-29 09:51
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
【IFWS2024】 碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程公布
 评论 ⋅  2024-11-05 16:32
长光华芯“半导体材料生长速率的测试方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-11-04 10:10
IFWS2024：氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-31 09:33
镓仁半导体：铸造法成功生长超厚6英寸氧化镓单晶！
 评论 ⋅  2024-10-29 19:59
标准 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨等2项技术标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-10-29 16:31
江苏集芯申请大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置专利，保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致
 评论 ⋅  2024-10-21 10:06
长宇科技取得一项外延生长基盘用高均质性特种石墨材料的制备方法专利，能够保持产品制备的稳定性
 评论 ⋅  2024-09-20 10:56
富加镓业年产10000片6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工
 评论 ⋅  2024-09-14 15:51
河北同光半导体取得SiC专利，实现将源于生长区石墨件腐蚀引起的包裹物分布控制在晶体边缘
 评论 ⋅  2024-09-09 08:34
瀚天天成“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-29 16:08
晶盛机电：12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货，ALD设备处于验证阶段
 评论 ⋅  2024-08-29 11:33
北方华创“碳化硅晶体生长装置”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-16 17:24
北京理工大学团队在杂化范德华外延生长研究方向取得重要突破
 评论 ⋅  2024-08-14 14:11
标准 | 赛迈科牵头2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见
 评论 ⋅  2024-08-02 16:54
标准 | 赛迈科牵头2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见
 评论 ⋅  2024-07-26 11:03
CASICON晶体大会前瞻|北京化工大学张纪才:（11-22）AlN材料的HVPE生长及其二极管制备研究
 评论 ⋅  2024-06-17 11:05
CASICON晶体大会前瞻|西安交通大学王若铮：MPCVD法生长英寸级单晶金刚石的相关机理探讨
 评论 ⋅  2024-06-11 11:16
晶盛机电：在功率半导体领域，先后成功研发8英寸及12英寸常压硅外延生长设备并实现销售
 评论 ⋅  2024-05-24 16:40
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
 评论 ⋅  2024-05-06 11:06
厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展
 评论 ⋅  2024-04-29 07:34
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