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厦门大学康俊勇教授团队：人工智能无损表征技术，助力SiC晶体生长
 评论 ⋅  2024-03-29 10:53
CASA立项《碳化硅单晶生长用等静压石墨》标准
 评论 ⋅  2024-03-04 17:05
实验室成功生长出8英寸碳化硅单晶、2024年度科研资金超百亿元
 评论 ⋅  2024-02-18 09:14
天岳先进：持续进行碳化硅单晶基础研究以提高晶体生长效率和质量
 评论 ⋅  2024-01-30 18:00
昆明理工大学在溶液法生长高纯3C-SiC晶体研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-01-26 17:37
电子科技大学氮化物宽禁带半导体晶体生长系统配件与制备耗材采购项目竞争性磋商采购公告
 评论 ⋅  2024-01-16 14:13
中科院物理所陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破
中国科学院物理研究所陈小龙异质籽晶同质籽晶生长
 评论 ⋅  2024-01-15 13:26
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4HSiC晶体缺陷晶体生长
 评论 ⋅  2024-01-02 15:38
北京大学教授于彤军：大尺寸AlN单晶生长研究
 评论 ⋅  2023-12-27 13:55
IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长
 评论 ⋅  2023-12-20 11:52
晶盛机电：公司碳化硅生长设备为自研自用
晶盛机电碳化硅生长
 评论 ⋅  2023-12-19 13:41
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 10:20
IFWS 2023│晶格领域张泽盛：液相法碳化硅单晶生长技术研究
 评论 ⋅  2023-12-15 13:38
IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体
 评论 ⋅  2023-12-08 14:32
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟：助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-07 15:07
IFWS 2023│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 08:35
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠：利用沟槽结构生长高效率InGaN红光
 评论 ⋅  2023-11-27 22:08
IFWS 2023前瞻│碳化硅衬底、外延材料生长与加工分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-23 11:52
IFWS 2023前瞻│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-16 16:31
南京邮电大学张茂林：氧化镓材料生长与阵列探测器研究
 评论 ⋅  2023-08-03 15:18
天通股份：公司已掌握800公斤级C向蓝宝石晶体的生长技术
 评论 ⋅  2023-08-01 10:40
晶盛机电：公司成功研发出具有国际先进水平的 8 英寸单片式碳化硅外延生长设备
 评论 ⋅  2023-07-14 08:53
CASICON西安站前瞻|西安交通大学陈冉升:六方氮化硼薄膜生长及hBN/BAlN异质结构电学特性的研究
 评论 ⋅  2023-07-13 16:41
简述GaN 外延生长方法及生长模式
 评论 ⋅  2023-06-08 16:20
基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2023-06-08 09:44
晶升股份拟1亿元投建半导体晶体生长设备生产及实验项目
 评论 ⋅  2023-05-16 10:23
国际领先！新一代SIC晶体生长用材料
恒普科技
 评论 ⋅  2023-04-28 08:47
中国半导体十大研究进展候选推荐——溶液生长BiI/BiI3范德华异质结构实现高灵敏X-射线探测
 评论 ⋅  2023-04-19 17:59
国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长
 评论 ⋅  2023-03-17 12:43
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