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IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长
 评论 ⋅  2023-12-20 11:52
晶盛机电：公司碳化硅生长设备为自研自用
晶盛机电碳化硅生长
 评论 ⋅  2023-12-19 13:41
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 10:20
IFWS 2023│晶格领域张泽盛：液相法碳化硅单晶生长技术研究
 评论 ⋅  2023-12-15 13:38
IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体
 评论 ⋅  2023-12-08 14:32
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟：助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-07 15:07
IFWS 2023│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 08:35
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠：利用沟槽结构生长高效率InGaN红光
 评论 ⋅  2023-11-27 22:08
IFWS 2023前瞻│碳化硅衬底、外延材料生长与加工分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-23 11:52
IFWS 2023前瞻│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-16 16:31
南京邮电大学张茂林：氧化镓材料生长与阵列探测器研究
 评论 ⋅  2023-08-03 15:18
天通股份：公司已掌握800公斤级C向蓝宝石晶体的生长技术
 评论 ⋅  2023-08-01 10:40
晶盛机电：公司成功研发出具有国际先进水平的 8 英寸单片式碳化硅外延生长设备
 评论 ⋅  2023-07-14 08:53
CASICON西安站前瞻|西安交通大学陈冉升:六方氮化硼薄膜生长及hBN/BAlN异质结构电学特性的研究
 评论 ⋅  2023-07-13 16:41
简述GaN 外延生长方法及生长模式
 评论 ⋅  2023-06-08 16:20
基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2023-06-08 09:44
晶升股份拟1亿元投建半导体晶体生长设备生产及实验项目
 评论 ⋅  2023-05-16 10:23
国际领先！新一代SIC晶体生长用材料
恒普科技
 评论 ⋅  2023-04-28 08:47
中国半导体十大研究进展候选推荐——溶液生长BiI/BiI3范德华异质结构实现高灵敏X-射线探测
 评论 ⋅  2023-04-19 17:59
国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长
 评论 ⋅  2023-03-17 12:43
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！
 评论 ⋅  2023-03-08 10:00
简述SiC碳化硅单晶的生长原理
 评论 ⋅  2023-03-03 10:48
IFWS：碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术前沿研究
 评论 ⋅  2023-02-12 17:57
现场火爆！IFWS：氮化物衬底材料生长与外延技术论坛召开
 评论 ⋅  2023-02-10 10:49
简述Ir衬底上金刚石半导体异质外延生长技术与机理研究进展
 评论 ⋅  2023-02-02 19:09
开年重要碳化硅半导体论坛！直击碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术前沿进展
 评论 ⋅  2023-01-31 20:10
山东大学4英寸HVPE氮化镓单晶生长炉采购废标公告
 评论 ⋅  2023-01-17 10:32
山东大学4英寸HVPE氮化镓单晶生长炉采购竞争性磋商公告
 评论 ⋅  2023-01-06 17:24
IFWS 前瞻：氮化物衬底材料生长与外延技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-01-04 19:00
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