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台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！
 评论 ⋅  2023-03-08 10:00
简述SiC碳化硅单晶的生长原理
 评论 ⋅  2023-03-03 10:48
IFWS：碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术前沿研究
 评论 ⋅  2023-02-12 17:57
现场火爆！IFWS：氮化物衬底材料生长与外延技术论坛召开
 评论 ⋅  2023-02-10 10:49
简述Ir衬底上金刚石半导体异质外延生长技术与机理研究进展
 评论 ⋅  2023-02-02 19:09
开年重要碳化硅半导体论坛！直击碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术前沿进展
 评论 ⋅  2023-01-31 20:10
山东大学4英寸HVPE氮化镓单晶生长炉采购废标公告
 评论 ⋅  2023-01-17 10:32
山东大学4英寸HVPE氮化镓单晶生长炉采购竞争性磋商公告
 评论 ⋅  2023-01-06 17:24
IFWS 前瞻：氮化物衬底材料生长与外延技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-01-04 19:00
赛微电子已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力 正在推动山东GaN产线建设
 评论 ⋅  2022-12-15 11:03
晶盛机电已成功生长出8英寸碳化硅晶体，并建设6英寸碳化硅晶体研发实验线
 评论 ⋅  2022-12-07 16:27
晶盛机电：已成功生长出8英寸碳化硅晶体
 评论 ⋅  2022-12-07 16:05
中山大学电子与信息工程学院（微电子学院）晶圆级二维原子晶体材料MOCVD生长系统采购项目公开招标公告
 评论 ⋅  2022-11-29 11:22
复旦大学单晶衬底生长系统采购公开招标公告
 评论 ⋅  2022-11-29 11:04
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
 评论 ⋅  2022-11-23 16:54
突破SiC生长关键核心材料 解决关键材料“进口”依赖
 评论 ⋅  2022-11-01 15:24
晶盛机电已成功生长出8英寸碳化硅晶体
 评论 ⋅  2022-10-27 18:46
IFWS 2022前瞻：氮化物衬底材料生长与外延
 评论 ⋅  2022-10-21 10:27
IFWS 2022看点前瞻：碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术
 评论 ⋅  2022-10-21 10:02
南京大学余林蔚教授课题组实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅纳米线可靠生长集成
 评论 ⋅  2022-09-13 13:31
哈尔滨工业大学科研团队通过选择性生长方法制备了准垂直金刚石肖特基二极管
 评论 ⋅  2022-09-02 09:34
晶盛机电已成功生长出8英寸碳化硅晶体，将提升在第三代半导体材料端的竞争力
 评论 ⋅  2022-09-02 09:20
浙江大学50 mm厚6英寸碳化硅单晶生长获得成功
 评论 ⋅  2022-07-28 16:18
在纳米图案化蓝宝石衬底（NPSS）上实现AlGaN基高效多量子阱的生长
 评论 ⋅  2022-07-12 14:59
科友半导体应用电阻长晶炉突破高速率高品质SiC晶体生长的关键技术
 评论 ⋅  2022-06-29 16:55
中国科学院物理研究所张广宇课题组实现4英寸晶圆尺度均匀多层二硫化钼连续薄膜可控逐层外延生长
 评论 ⋅  2022-06-23 15:13
恒普科技量产推出新一代2.0版SiC电阻晶体生长炉
恒普科技SiC晶体生长SiC电阻晶体生长炉晶体电阻炉
 评论 ⋅  2022-06-17 15:00
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破
 评论 ⋅  2022-05-10 10:28
南京大学等突破双层二维半导体外延生长核心技术
 评论 ⋅  2022-05-07 09:22
重磅发布 | 新一代SiC晶体生长炉，突破行业核心需求
恒普科技SiC感应晶体生长炉SiC行业晶体长
 评论 ⋅  2022-05-02 09:06
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