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ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
 评论 ⋅  2022-04-11 16:58
晶湛半导体发布Full Color GaN®全彩系列LED产品并打破300mm壁垒
 评论 ⋅  2022-04-08 17:44
宏光半导体：与GaN Systems进行首次公开GaN的行业实地试验
 评论 ⋅  2022-03-30 15:56
终端市场故障率为零！GaN功率芯片行业领导者纳微半导体宣布成功发货超过四千万颗
Navitas氮化镓纳微半导体GaN
 评论 ⋅  2022-03-29 08:26
GaN Systems和徐州金沙江半导体共同展示GaN在提高数据中心效率和盈利能力方面的巨大优势
 评论 ⋅  2022-03-28 17:16
郭明錤：预计苹果今年将发布30W快充GaN充电器，采用全新外观设计
 评论 ⋅  2022-03-08 11:04
GaN Systems：车用GaN将在2024年爆发
 评论 ⋅  2022-02-17 17:55
赛微电子：公司一直在努力解决GaN业务的供应问题
 评论 ⋅  2022-02-16 14:48
吴越半导体获战略融资，曾发布厚度突破1厘米的GaN晶体
 评论 ⋅  2022-02-16 09:20
晶方科技：2000万美元投资第三代半导体GaN器件设计公司VisIC
 评论 ⋅  2022-02-09 10:40
赛微电子：GaN（氮化镓）制造产线正在建设中
 评论 ⋅  2022-01-24 09:25
GaN功率半导体的可靠性挑战与应对之策
 评论 ⋅  2022-01-13 16:02
国星三代半再出新品，SiC模块、GaN器件、SiC功率分立器件齐上新
 评论 ⋅  2022-01-10 21:18
纳微半导体宣布在上海成立一个电动车GaN芯片设计中心
 评论 ⋅  2022-01-07 14:48
第三代半导体-氮化镓(GaN)产业链基本形成
第三代半导体氮化镓GaN产业链基本形成
 评论 ⋅  2021-12-29 15:57
国星光电：公司第三代半导体新产品GaN-DFN器件可应用于新能源汽车充电、手机快充等
国星光电第三代半导体新产品GaN-DFN器件新能源汽车充电手机快充
 评论 ⋅  2021-12-24 18:36
河北半导体研究所高楠：国产4英寸GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料
 评论 ⋅  2021-12-23 16:16
无锡诞生全球最薄半导体GaN晶体，厚度突破1厘米！
 评论 ⋅  2021-12-16 22:19
中科院半导体研究所张连：亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:47
南京电子器件研究所张凯：大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用
 评论 ⋅  2021-12-14 14:46
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心曾建平：宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究
 评论 ⋅  2021-12-14 14:42
日本德岛大学教授敖金平：转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:40
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
北京大学物理学院杨学林：Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:52
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
西交利物浦大学王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的单片比较器用于高温应用的MIS-HEMT
 评论 ⋅  2021-12-13 11:47
南方科技大学深港微电子学院汪青：GaN器件及其系统的最新研究进展
 评论 ⋅  2021-12-13 11:41
深圳大学微电子研究院刘新科：2寸独立晶圆上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2021-12-13 11:39
电子科技大学李曦：GaN HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:29
西安电子科技大学宁静：基于维度调控的GaN紫外LED及光电集成
 评论 ⋅  2021-12-11 16:04
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