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+SiC!纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源
无锡博通申请半桥
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增强型开关器件及其制备方法专利,保证器件的高速开关
新洁能:SiC/
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项目年底竣工投产
东南大学信息科学与工程学院150nm
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芯片流片采购项目竞争性磋商公告
英诺赛科
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:开启高效、便携的电子产品新时代
法国
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企业获应用材料、台湾工研院投资
国博电子:上半年发布多款
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射频模块产品,预计下半年开发并应用新一代的产品
信越化学面向
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半导体开发出大型基板
江苏能华微取得
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肖特基二极管相关专利,有效提高了
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肖特基二极管的性能
氮化镓名企Bel
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宣告破产,潜在竞购者报价1.3亿欧元
机构:2023 年全球
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功率元件市场规模约 2.71 亿美元
豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构
GaN
基光电子芯片的制备方法专利,有效提高微纳结构中有源层的发光效率
CASA立项
GaN
HEMT非钳位感性负载开关鲁棒性测试方法1项团体标准
又一
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企业宣告破产!
德高化成第三代半导体
GaN
倒装芯片LED封装制造扩产项目开工
标准 | 2项
GaN
HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案
全球SiC和
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功率半导体市场2034年将增至110.8亿美元
万年晶
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项目已投产
西安电子科技大学
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-on-Si/SOI外延片采购公开招标公告二次
闻泰科技:已实现
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产品D-M系列产品销售和SiC整流管的工业消费级量产
西安电子科技大学
GaN
-on-Si/SOI 外延片采购公开招标公告
CASICON晶体大会前瞻|才道精密仪器马观岚:SiC/
GaN
衬底和外延片检测设备国产化
GaN
芯片龙头「英诺赛科」,递交IPO招股书,拟香港上市,中金、招银联席保荐
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ational:
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功率器件引领革新风潮
科技成果推介|增强型
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电力电子器件
北京大学申请多沟道
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基HEMT专利,降低导通电阻进而降低损耗
CASICON晶体大会前瞻 |广东工业大学张紫辉:界面缺陷效应对
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功率电子器件的影响研究
Power Integrations收购
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开发商Odyssey半导体资产
国博电子:公司
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射频模块主要应用于4G、5G基站设备中,积极布局6G移动通信应用
北京大学申请多沟道
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基HEMT专利,降低导通电阻进而降低损耗
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