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标准 | 《Sub-6GHz GaN 射频产品可靠性筛选和验收方法》等5项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2023-03-20 10:14
英诺赛科VGaN助力一加Ace2发布，打造全新快充体验
 评论 ⋅  2023-03-17 12:40
Yole：2027年功率 GaN 器件市场价值或达20 亿美元，预期年复合增长率高达 59%
 评论 ⋅  2023-03-07 15:47
英飞凌收购GaN Systems，留给竞争对手的时间不多了！
 评论 ⋅  2023-03-03 09:56
重磅收购！英飞凌57亿元收购氮化镓初创公司GaN Systems
 评论 ⋅  2023-03-03 08:13
厦门大学副教授高娜：基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光发射调控
 评论 ⋅  2023-03-01 17:40
铖昌科技新产品GaN功率放大器芯片已实现规模应用
 评论 ⋅  2023-02-03 09:32
GaN微波单片集成电路MPW流片加工延期公告
 评论 ⋅  2023-01-30 14:44
GaN IDM高新技术企业英诺赛科携产品将亮相IFWS&SSLCHINA 2022
 评论 ⋅  2023-01-10 16:16
晶方科技完成对GaN器件设计公司VisIC投资
 评论 ⋅  2023-01-10 15:44
中科潞安牵头大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
 评论 ⋅  2022-12-21 13:47
赛微电子已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力 正在推动山东GaN产线建设
 评论 ⋅  2022-12-15 11:03
CASA发布《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告
 评论 ⋅  2022-12-09 16:50
GaN)电源转换产品供货商Transphorm拓展中国区业务，扩大氮化镓应用实验室
 评论 ⋅  2022-12-02 17:03
国博电子：积极布局以GaN为代表的第三代化合物半导体领域
 评论 ⋅  2022-11-30 10:27
GaN功率半导体的2023预测
 评论 ⋅  2022-11-29 20:36
中镓半导体：挑战最高GaN体电阻率，开发更高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底
 评论 ⋅  2022-11-25 17:53
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-21 15:29
标准 | CASA立项《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》等5项团体标准
 评论 ⋅  2022-11-21 15:27
纳微氮化镓（GaN）半桥功率芯片专利布局解读
 评论 ⋅  2022-11-14 16:07
东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:26
华微电子：积极布局以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件技术
 评论 ⋅  2022-10-28 15:57
格芯获得 3000 万美元政府资金用于氮化镓 GaN 芯片生产
 评论 ⋅  2022-10-18 17:09
东南大学牵头起草《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告征求意见
 评论 ⋅  2022-10-17 17:17
台积电积极布局第三代半导体，二代硅基GaN技术平台年内完成
 评论 ⋅  2022-10-08 08:44
宏光半导体获协鑫朱共山入股 携手发展第三代半导体GaN业务
 评论 ⋅  2022-10-08 08:19
芯导科技：第三代半导体650VGaNHEMT产品预计今年可实现量产
 评论 ⋅  2022-09-27 17:05
第三代半导体氮化镓（GaN）产业剖析
 评论 ⋅  2022-09-14 15:03
SK Siltron 计划成立合资公司开发 SiC和GaN芯片
 评论 ⋅  2022-09-14 10:07
宏光半导体携手协鑫集团 布局GaN功率芯片在新能源领域应用
 评论 ⋅  2022-09-08 16:55
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