上海瑞华晟申请SiC/SiC复合材料制备方法专利，提升材料抗氧化性
 评论 ⋅  2024-12-20 16:05
南京集芯光电取得一种氮化镓生长加热炉专利，解决氮化镓采取和附着问题，提高产量
 评论 ⋅  2024-12-20 16:01
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和装置专利，大大提高氮化镓传感器的制备效率
 评论 ⋅  2024-12-20 15:59
美国商务部批准SK海力士提供4.58亿美元《芯片法案》补贴
 评论 ⋅  2024-12-20 15:52
苏州立琻半导体申请p型AlGaN材料及其制备等专利，提高了p型AlGaN材料的空穴浓度
 评论 ⋅  2024-12-20 15:51
3.5亿！一半导体项目在皖开工
 评论 ⋅  2024-12-20 14:31
中山大学光子感知团队在国际顶级光学期刊《Laser & Photonics Review》发文
 评论 ⋅  2024-12-20 14:25
烽火通信5G承载应用及数字经济研发生产基地项目（一期）一标段全面封顶
 评论 ⋅  2024-12-20 13:43
光迅科技高端光电子器件产业基地一期达产
 评论 ⋅  2024-12-20 11:14
总投资1.2亿 湖州奕富半导体研磨装备国产化项目签约，
 评论 ⋅  2024-12-20 11:13
玻色量子、希姆半导体等签约入驻电子城南京未来产业创新基地
 评论 ⋅  2024-12-20 10:21
中国工程院院士彭寿：新型显示材料始终占据显示产业价值链高端
 评论 ⋅  2024-12-20 10:19
欧盟批准意大利13亿欧元补贴 助力Silicon Box建设先进半导体封装厂
 评论 ⋅  2024-12-20 10:15
用AI链接芯世界，此芯科技2024生态大会完美收官
 评论 ⋅  2024-12-20 10:15
环球晶圆获芯片法案4.06亿美元补贴，将建设美国首座大批量300毫米硅晶圆工厂
 评论 ⋅  2024-12-20 09:32
突发！拜登政府要对中国成熟芯片下手！
 评论 ⋅  2024-12-20 08:16
上海积塔半导体申请检测晶圆位置的专利，能够确保后续晶圆环切等工艺顺利进行
 评论 ⋅  2024-12-19 17:36
浙江睿熙申请 VCSEL 集成晶圆及其制造方法专利，实现晶圆级别集成
 评论 ⋅  2024-12-19 17:32
森国科申请 MOSFET 结构相关专利，降低饱和电流
 评论 ⋅  2024-12-19 17:10
长飞先进武汉碳化硅基地设备进场
 评论 ⋅  2024-12-19 16:54
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利，实现高频能力
 评论 ⋅  2024-12-19 16:26
中科飞测第1000台集成电路质量控制设备出机
 评论 ⋅  2024-12-19 15:59
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
中微公司宣布成功从美国国防部中国军事企业清单中移除
 评论 ⋅  2024-12-19 14:25
博世获16亿元补贴，将投138亿元发力8英寸SiC芯片！
 评论 ⋅  2024-12-19 13:49
华虹半导体申请集成半导体器件及其制备方法专利，提高芯片整体抗EMI能力
 评论 ⋅  2024-12-19 13:37
总投资3亿元，深矽微科技功率器件封装生产基地项目首批设备正式进场
 评论 ⋅  2024-12-19 11:56
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