东京大学研发“掺镓氧化铟晶体”取代硅材料
 评论 ⋅  2025-06-30 13:35
复旦大学田朋飞教授课题组首次在实验层面实现了雨天环境下30 Gbps的VLC系统
 评论 ⋅  2025-06-26 10:36
深圳平湖实验室成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2025-06-25 11:57
中国科学院微电子所团队在高速串行接口芯片方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-06-24 08:26
中国科大微电子学院胡诣哲教授课题组在极低抖动高速锁相环芯片研究中取得重要突破
 评论 ⋅  2025-06-24 08:14
突破芯片散热瓶颈！天津大学团队研发全球最小高能效MEMS冷却器
 评论 ⋅  2025-06-23 08:26
我国科学家在强磁场技术领域取得新突破
 评论 ⋅  2025-06-23 07:55
浙江大学团队Nat.Commun.：量子点LED大突破！亮度翻倍，光效超国标，2035年照明技术提前实现！
 评论 ⋅  2025-06-20 08:46
新突破！我国成功研发蚊子大小仿生机器人
 评论 ⋅  2025-06-19 14:17
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应研究成果
 评论 ⋅  2025-06-18 11:35
科研成果| 硅基金刚石热沉在GaN功率放大器中的应用
 评论 ⋅  2025-06-18 09:49
沙特KAUST李晓航团队：STO新型制备工艺实现2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED
 评论 ⋅  2025-06-17 16:23
深圳平湖实验室GaN课题组刘轩博士研究成果亮相国际顶级学术会议ISPSD2025
 评论 ⋅  2025-06-17 10:40
复旦大学研究人员等在新型半导体表界面结构与缺陷研究方面取得系列进展
 评论 ⋅  2025-06-16 10:17
浙江大学电气工程学院PEDL团队五项重要成果在功率器件顶级会议ISPSD发表
 评论 ⋅  2025-06-16 08:01
新成果！深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2025-06-13 09:47
集成电路学院功率集成技术实验室第9次斩获IEEE ISPSD 发表论文数全球第一
 评论 ⋅  2025-06-12 18:56
富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高
 评论 ⋅  2025-06-09 08:11
中国科大研制出一种全方向表面等离子体波照明器件
 评论 ⋅  2025-06-06 07:54
半导体所在植入式脑机接口器件研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-06-03 09:29
大连理工大学团队：通过提高晶体质量增强 β-Ga₂O₃ 薄膜的光电突触可塑性
 评论 ⋅  2025-05-27 16:50
中科院苏州纳米所孙钱团队与合作者在氮化镓紫外探测领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-27 09:33
科研成果| 高整流、超低漏p-Si/n-AlN异质结PN二极管
 评论 ⋅  2025-05-23 13:37
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
 评论 ⋅  2025-05-22 18:32
1250mW、BLG 展示创世界纪录的单模 GaN 激光器
 评论 ⋅  2025-05-19 17:16
科研成果| p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究
 评论 ⋅  2025-05-16 12:01
中国科学院微电子所在碳硅三维异质集成器件上取得进展
 评论 ⋅  2025-05-07 09:19
中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-06 09:32
高纯硅粉制备氮化硅陶瓷
 评论 ⋅  2025-04-30 10:54
连科半导体8吋/12吋SiC电阻炉及工艺成套技术取得突破
 评论 ⋅  2025-04-29 20:10
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