MOCVD_视频搜索_第2页_半导体产业网

首页 > 视频 > 搜索

山东大学贾志泰：大尺
9160
山东大学贾志泰：大尺
大尺寸高质量氧化镓单晶生长及性能研究穆文祥，李阳，贾志泰*，陶绪堂山东大学
91600
guansheng2022-09-01 16:18
湖北大学何云斌：Ga2O
9720
湖北大学何云斌：Ga2O
Ga2O3三元合金设计及其日盲紫外光电探测器研究王其乐，瞿秋琳，陈剑，黎明锴，卢寅梅，何云斌*湖北大学
97200
guansheng2022-09-01 16:16
中山大学王钢：基于金
5670
中山大学王钢：基于金
基于金属有机化学气相沉积的-Ga2O3薄膜异质外延及其在场效应晶体管中的应用王钢*，陈伟驱，罗浩勋，陈梓敏，卢星，裴艳丽中山大学
56700
guansheng2022-09-01 16:13
中科院合肥物质科学研
5430
中科院合肥物质科学研
一种基于宽禁带半导体材料的微孔阵列同位素电池张佳辰，韩运成*，王晓彧，何厚军，任雷，李桃生中国科学院合肥物质科学研究院中国科学技术大学湖北科技学院
54300
guansheng2022-09-01 16:11
南京大学巩贺贺：氧化
7500
南京大学巩贺贺：氧化
氧化镓肖特基二极管热管理研究巩贺贺，周峰，叶建东*，陆海，顾书林，张荣，郑有炓南京大学
75000
guansheng2022-09-01 16:10
厦门大学龙浩：氧空位
5440
厦门大学龙浩：氧空位
氧空位在异质外延-Ga2O3薄膜MSM型光电探测器中的影响许锐，马晓翠，梅洋，应磊莹，张保平*，龙浩*厦门大学
54400
guansheng2022-09-01 16:08
浙江大学杨树：基于界
6720
浙江大学杨树：基于界
基于界面调控的垂直型GaN功率二极管研究杨树浙江大学
67200
guansheng2022-09-01 14:37
北京大学刘轩：基于结
5590
北京大学刘轩：基于结
基于结终端扩展的kV级硅基GaN准垂直结构pn二极管刘轩，王茂俊*，魏进，文正，解冰，郝一龙，杨学林，沈波北京大学
55900
guansheng2022-09-01 13:46
中电科13所高楠：MOCV
6590
中电科13所高楠：MOCV
MOCVD生长高质量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龙*，尹甲运，张志荣，王波，李佳，芦伟立，陈宏泰，牛晨亮中国电子科技集团公司第十三研究所
65900
guansheng2022-09-01 13:45
中科院微电子所黄森：
5570
中科院微电子所黄森：
全GaN功率器件与集成研究黄森*，蒋其梦，王鑫华，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所
55700
guansheng2022-09-01 13:43
中科院苏州纳米所孙钱
5520
中科院苏州纳米所孙钱
硅基GaN电子器件研究进展孙钱中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
55200
guansheng2022-09-01 13:42
南京大学周峰：从应
5730
南京大学周峰：从应
从应用端看GaN功率电子器件面临的关键可靠性难题及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海*南京大学
57300
guansheng2022-09-01 13:29
中科院苏州纳米所郭小
6690
中科院苏州纳米所郭小
1200V级硅衬底GaN纵向PiN功率二极管郭小路，钟耀宗，周宇，陈昕，闫书萌，刘建勋，孙秀建，孙钱*，杨辉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
66900
guansheng2022-09-01 12:50
中国科学院微电子所金
5670
中国科学院微电子所金
面向全GaN集成的高性能GaN基增强型p-FET器件研究金昊，蒋其梦*，黄森*，王鑫华，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所
56700
guansheng2022-09-01 12:49
南京大学陈鹏：GaN基
5440
南京大学陈鹏：GaN基
GaN基肖特基功率器件研究新进展陈鹏*，徐儒，刘先程，梁子彤，殷鑫燕，谢自力，修向前，陈敦军，刘斌，赵红，张荣，郑有炓南京大学
54400
guansheng2022-09-01 12:38
中科院宁波材料所郭炜
8530
中科院宁波材料所郭炜
基于极化调控的GaN HEMT隔离特性研究戴贻钧，郭炜*，陈荔，李晓航，叶继春中国科学院宁波材料技术与工程研究所
85300
guansheng2022-09-01 12:27
中科院北京纳米所胡卫
6440
中科院北京纳米所胡卫
压电能带工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡卫国*中国科学院北京纳米能源与系统研究所
64400
guansheng2022-09-01 12:22
西安电子科技大学张进
6460
西安电子科技大学张进
势垒可调、位错免疫凹槽阳极氮化镓肖特基二极管研究张进成*，党魁，周弘，张涛，赵胜雷，毛维，郝跃西安电子科技大学
64600
guansheng2022-09-01 12:20
深圳大学范泽龙:基于
5490
深圳大学范泽龙:基于
基于带状氮化铝晶体真空紫外探测器研究范泽龙，武红磊，孙振华深圳大学
54900
guansheng2022-09-01 12:17
南京大学王海萍:基于
5460
南京大学王海萍:基于
基于增强型p-GaN HEMT的高性能紫外光电晶体管王海萍，游海帆，陈敦军*，张荣，郑有炓南京大学
54600
guansheng2022-09-01 12:16