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中国科学院半导体研究
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中国科学院半导体研究
锑化物超晶格红外探测器的MOCVD生长技术研究吴东海中国科学院半导体研究所
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guansheng2022-09-01 12:15
华中科技大学吴峰:基
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华中科技大学吴峰:基
基于宽禁带半导体的深紫外发光与探测器件研究吴峰*，戴江南，陈长清华中科技大学
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guansheng2022-09-01 12:13
中科院长春光机所刘可
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中科院长春光机所刘可
宽禁带氧化物半导体日盲紫外探测器及其在大气臭氧检测中的应用研究刘可为*，陈星，杨佳霖，韩冬阳，侯其超，申德振中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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guansheng2022-09-01 12:06
太原理工大学崔艳霞:
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太原理工大学崔艳霞:
碳化硅基窄带紫外光电探测器崔艳霞*，李梦辉，胡鲲，耿路路，潘登，李国辉，王文艳，许并社太原理工大学
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guansheng2022-09-01 12:05
北京大学孙栋: 基于拓
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北京大学孙栋: 基于拓
基于拓扑半金属的高性能光电探测孙栋北京大学
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guansheng2022-09-01 12:04
南京大学陆海:宽禁带
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南京大学陆海:宽禁带
宽禁带半导体紫外、极紫外及软x射线探测器陆海*，张荣，郑有炓南京大学
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guansheng2022-09-01 11:37
江苏第三代半导体研究
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江苏第三代半导体研究
GaN基Micro-LED同质外延及其性能表征王国斌*，闫其昂，周溯沅，李增林，苏旭军，刘宗亮，王建峰，徐科江苏第三代半导体研究院有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司
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guansheng2022-09-01 11:36
中国科学院半导体研究
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中国科学院半导体研究
用于片上通信的日盲波段光电集成芯片何瑞，魏同波*，王军喜，李晋闽中国科学院半导体研究所
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guansheng2022-09-01 11:35
南京大学庄喆：InGaN
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南京大学庄喆：InGaN
InGaN基红光Micro-LED器件研究庄喆*，刘斌，张荣南京大学
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guansheng2022-09-01 11:34
复旦大学单心怡：单片
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复旦大学单心怡：单片
单片集成发光探测的深紫外micro-LED阵列光通信应用单心怡，田朋飞*，朱世杰，仇鹏江，钱泽渊，林润泽，汪舟，崔旭高复旦大学
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guansheng2022-09-01 11:32
清华大学汪莱：GaN基
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清华大学汪莱：GaN基
GaN基高速蓝绿光Micro-LED研究进展汪莱*，王磊，李振浩，郝智彪，罗毅清华大学
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guansheng2022-09-01 11:30
南京大学陶涛：面向可
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南京大学陶涛：面向可
面向可见光通信与传感应用的微小尺寸LED器件研究刘斌*，许非凡，王彬，陶涛，田朋飞，王国斌，徐科，黄凯，张荣南京大学
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guansheng2022-09-01 11:26
北京大学陈兆营：面向
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北京大学陈兆营：面向
面向氮化物全彩显示的InGaN基红光Mini/Micro-LED研究陈兆营，盛博文，刘放，李铎，袁泽兴，葛惟昆，沈波，梁文骥，赵春雷，闫龙，Jason Hoo，郭世平，王新强*北京大学
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guansheng2022-09-01 11:23
张涛：MOCVD异质外延G
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张涛：MOCVD异质外延G
《MOCVD异质外延Ga2O3薄膜及其相变的研究》作者：张涛，胡志国，程倩，冯倩，张雅超，张进成单位：西安电子科技大学微电子学院
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limit2022-01-06 11:39
黄思溢：基于水平常压
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黄思溢：基于水平常压
《基于水平常压式MOCVD的低温p-GaN生长与性能表征》作者：黄思溢，池田昌夫，张名龙，张峰，朱建军，刘建平，杨辉单位：中国科学
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limit2022-01-05 11:27
余佳东：等离子体密度
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余佳东：等离子体密度
《等离子体密度对ICP-MOCVD生长GaN薄膜的影响》作者：余佳东，罗毅，王健，张子轩，李翔，汪莱，郝智彪单位：北京信息科学与技术
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limit2022-01-05 11:25
赵见国：非极性(11-20
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赵见国：非极性(11-20
《非极性(11-20)面P型GaN和全组分InGaN的MOCVD生长与研究》作者：赵见国，陈凯，胡文晓，宫毛高，刘斌，陶涛，谢自力，严羽，张
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limit2022-01-05 11:22
【视频报告 2018】德
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【视频报告 2018】德
德国爱思强产品管理总监Jens VOIGT介绍了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解决方案》主题报告。他介绍说，爱思强的行星式反应器平台是生产具有最高一致性、重复性和缺陷控制标准的化合物半导体器件的已建立的平台，例如用VCSEL激光器证明的3D传感器技术，这是当前高容量需求的关键驱动因素之一。同样的要求组合也适用于Micro-LED技术：在低的缺陷水平下，结合外延层的高通量结构具有非常高的精度。行星式反应器平台技术已经被
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limit2021-04-29 12:29
【视频报告 2018】Kaz
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【视频报告 2018】Kaz
特阿卜杜拉国王科技大学的Kazuhiro OHKAWA教授介绍了《AlGaN 材料MOCVD生长优化和反应器设计》研究报告。报告中，在较宽的压力、Al /（Ga + Al）比例和温度范围内成功仿真AlGaN生长。考虑到适量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生长速率和组分与实验中的非常一致。这一技术使我们有可能优化氮化物MOCVD并设计升级反应器。
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limit2021-04-29 12:24
【视频报告 2018】维
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【视频报告 2018】维
美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE分享了《Micro-LED显示屏：关键制造挑战和MOCVD技术》报告。他介绍到，微型LED显示屏比其他显示技术，如背光LED显示屏、OLED显示屏和等离子显示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加坚固柔韧。然而，微型LED显示屏的缺点之一是制作复杂，这导致了较高的显示成本。在严格坚持目标成本的同时，微型LED显示屏优秀性能和良率为其制造带来了许多挑战。报告中提出，从外延和LE
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limit2021-04-29 12:24