赵德刚:GaN材料碳杂
1840
江晓松:宽禁带半导体
1250
吕泽升:High Perform
530
李思哲:用于Micro LE
2560
龚政:氮化镓基Micro-
3780
李虞锋:Nanoscale Ch
920
程凯:新型GaN外延结
2290
刘斌:量子点/氮化物
1890
黄思溢:基于水平常压
2540
余佳东:等离子体密度
2650
赵见国:非极性(11-20
2620
宋文涛:液态铟氮化生
1490
张峰:Atomic layer d
2220
黄丰:宽禁带半导体材
3640
石芝铭:宽禁带III族
1570
刘志彬:溅射中痕量氧
2590
陈荔:基于高温热退火
2180
Ye Yuan: The prepara
魏同波:石墨烯驱动的
1680
许福军:AlGaN基深紫
3450