日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告，分享了其最新研究成果。

该视频为：日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong主讲的《SiC功率芯片贴片模组低应力连接技术》报告。为SiC芯片的键合，研究了一种烧结微孔和钨(W)薄膜的夹层结构。芯片粘连层被设计为微孔Ag/钨/微孔Ag以便增加粘连层厚度，从而实现低应力的SiC功率模块。Ag膏的厚度为0.1mm，而钨的厚度分别为0.1mm和0.5mm。粘连层剪切强度高达60Mpa，1000次热循环（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此烧结技术最有希望应用于高温工作的低应力的SiC功率模块。 第三代半导体材料主要包

日本千叶大学荣誉教授矢口博久，主题为“色彩保真度指数”。他表示，今年4月全新的CIE2017色彩保真度指数是更精确的科学使用版本，在CIE224中发布。既然色彩保真度指数目前还不能替代现有的Ra，但是CIE2017的色彩保真度指数也是可以说是CIE进展过程......

日本大阪大学教授菅沼克昭分享了宽禁带功率器件银烧结连接的可靠性及其新进展。