太阳能卫星及相关波束无线电力传输技术的最新研发进展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大学教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan

Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasersTetsuya TAKEUCHI日本名城大学教授Tetsuya TAKEUCHIProfessor of Meijo University,Japan

基于HfZrO2与b-Ga2O3异质结的高性能自驱动日盲紫外光探测器P-Type SnO2 Fabrication and Construction of SnO2 Homojunction UV Photodetector黎明锴湖北大学材料科学与工程学院教授LIMingkaiProfessor of Hubei University

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template三宅秀人日本三重大学教授Hideto MIYAKEProfessor of Graduate School of Engineering, Mie University

MgO（100）上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大学教授HE YunbinProfessor of Hubei University

C4盐生植物的产量、光利用效率和营养品质--马齿苋在不同光照强度、光周期和日照积分下的室内生长Yield, Light Use Efficiency and Nutritional Quality of C4 Halophyte Portulaca oleracea L. Grown Indoors under Different Light Intensities, Photoperiods and Daily Light Integrals何洁新加坡南洋理工大学教授HE JieProfessor of Nanyang Technological University, Singapore

Ga2O3三元合金设计及其日盲紫外光电探测器研究王其乐，瞿秋琳，陈剑，黎明锴，卢寅梅，何云斌*湖北大学

宽禁带氧化物半导体日盲紫外探测器及其在大气臭氧检测中的应用研究刘可为*，陈星，杨佳霖，韩冬阳，侯其超，申德振中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

用于片上通信的日盲波段光电集成芯片何瑞，魏同波*，王军喜，李晋闽中国科学院半导体研究所

《超宽带隙氧化镓材料及其日盲深紫外探测器研究》作者：李万俊，刘浩文，周树仁，黄利娟，胡郑蕊，张红，熊元强，李泓霖，叶利娟单位：重庆师范大学物理与电子工程学院，光电功能材料重庆市重点实验室

《极高响应度与增益带宽积的p型氧化镓日盲探测器》作者：吴征远，蒋卓汛，马聪聪，张浩，叶建东，张国旗，康俊勇，张统一，方志来单位：复旦大学信息科学与工程学院、工程与应用技术研究院、南京大学电子科学与工程学院、厦门大学物理科学与技术学院上海大学材料基因组工程研究院

《氧化镓基日盲紫外光电探测器的制备及特性研究》作者：程其进，徐翔宇, 陈文山，龚彧亨，陈文澄，张洪良单位：厦门大学电子科学与技术学院，厦门大学化学与化学学院

日本名城大学副教授Motoaki IWAYA 带来了关于基于AlGaN 激光的发展现状的报告。

日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED，其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时，还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的

同步辐射X射线衍射法实现氮化镓衬底及同质外延薄膜晶格面倾斜可视化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长，东京工业大学兼职教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕

极智报告|日本理化所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究进展 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。

极智报告|日本大阪大学高悦：铜颗粒烧结贴片连接SiC-MOSFET的长期可靠性研究进展 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。

日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告，分享了其最新研究成果。

该视频为：日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong主讲的《SiC功率芯片贴片模组低应力连接技术》报告。为SiC芯片的键合，研究了一种烧结微孔和钨(W)薄膜的夹层结构。芯片粘连层被设计为微孔Ag/钨/微孔Ag以便增加粘连层厚度，从而实现低应力的SiC功率模块。Ag膏的厚度为0.1mm，而钨的厚度分别为0.1mm和0.5mm。粘连层剪切强度高达60Mpa，1000次热循环（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此烧结技术最有希望应用于高温工作的低应力的SiC功率模块。 第三代半导体材料主要包