新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
长电科技
芯
半导体
中国
天岳先进
华为
第三代半导体
氮化镓
首页
新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
新闻资讯
>
搜索
综合排序
最多点击
最新发布
全部类别
技术
材料
产业
财经
应用
苹果将推出
GaN
电源适配器?
第三代半导体氮化镓
GaN
行业剖析:5G、快充、UVC助力行业潮起
士兰微再获补助,赛维电子拟对子公司增资,都因为氮化镓(
GaN
)?
沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学Iman S. ROQAN:原位无位错多晶
GaN
层在宽范围衬底上生长高效率的无催化剂
GaN
纳米线
中山大学黎城朗:凹槽深度对
GaN
槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
电子科技大学教授周琦:基于超薄势垒Al
GaN
/
GaN
异质结与混合阳极二极管技术的功率整流器与微波混频器
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇:硅基
GaN
增强型HEMT电力电子器件
南方科技大学于洪宇:Si基
GaN
功率器件及其上电源系统的关键技术研究进展
西安电子科技大学李杨:用于无线充电和功率传输的基于
GaN
肖特基势垒二极管的微波整流器
南方科技大学汪青:Si基
GaN
射频器件的关键技术研究进展
中电化合物半导体唐军:SiC基
GaN
射频材料热阻研究进展
复旦大学田朋飞:基于
GaN
的可用于固态照明、显示和双向可见光通信的多功能器件
深圳大学刘新科:大面积MoS2-on-
GaN
范德华异质结的光子器件应用
厦门三安光电张中英:UVB & UVC Al
GaN
基深紫外LED器件的最新进展
南京大学刘斌:具有
GaN
隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE制备
天津工业大学于莉媛:
GaN
基器件电子辐照诱生缺陷表征和性能分析
美国康奈尔大学Huili Grace XING:
GaN
电力电子及其基本极限
英诺赛科骆薇薇:时代 “芯”机 “
GaN
”想“
GaN
”干
日本未来五年将斥资8560万美元资助
GaN
企业
2027年全球
GaN
半导体器件市场规模预计或将达408亿元
北京大学教授沈波:Al
GaN
基深紫外发光材料和器件技术进展
提速5G商用化 江苏省攻关“氮化镓(
GaN
)毫米波功率放大器”芯片!
毫米波
功率放大器
芯片
国家
氮化
工艺
2020年全球
GaN
充电器市场规模将达23亿元
Transphorm推出4 kW模拟控制无桥图腾柱
GaN
评估板
功率
设计
氮化
电源
器件
系统
2020年Q2的
GaN
射频器件产品最新进展
Transphorm的第二款900 V
GaN
FET现已投入生产
功率
氮化
器件
晶体管
伊利诺伊
封装
GaN
器件的直接驱动配置
开关
拓扑
晶体管
器件
损耗
更佳
GaN
将能源效率推升至新高度
高效
损耗
劳伦斯
电容
电源
就会
解析
GaN
和SiC功率半导体市场格局的变化
In
GaN
μLED外部量子效率改进最新研究成果 有望消除高性能μLED发展瓶颈
第
12
页/共
13
页
首页
下一页
上一页
尾页
联系客服
投诉反馈
顶部