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IFWS 2023│厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷研究，合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2023-12-05 16:32
IFWS 2023│中国电子科技集团第五十五研究所黄润华：750V SiC MOSFET元胞结构对器件特性的影响研究
 评论 ⋅  2023-11-29 19:43
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠：利用沟槽结构生长高效率InGaN红光
 评论 ⋅  2023-11-27 22:08
旭光电子：氮化铝结构件已应用于半导体光刻工艺等 且实现销售
 评论 ⋅  2023-11-08 15:59
杭州宝鼎乾芯6英寸半导体项目主体结构全部完成
 评论 ⋅  2023-11-07 20:15
润鹏半导体12英寸集成电路生产线项目主体结构封顶
 评论 ⋅  2023-10-12 17:02
IGBT模块热阻降30%-40%，翠展微电子提出一体化逆变砖模块结构
 评论 ⋅  2023-09-04 13:38
厦门大学教授张洪良：氧化镓薄膜外延与电子结构研究
 评论 ⋅  2023-08-16 14:06
华为公布“芯片堆叠结构及其形成方法、芯片封装结构、电子设备”专利
 评论 ⋅  2023-08-08 15:40
厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷、合金化电子结构调控及日盲光电探测器研究
 评论 ⋅  2023-08-03 10:55
西北工业大学副教授王维佳：可回收光催化剂的结构调控与催化性能研究
 评论 ⋅  2023-08-02 10:17
CASICON西安前瞻| 西北工业大学王维佳：可回收光催化剂的结构调控与催化性能研究
 评论 ⋅  2023-07-23 14:39
CASICON西安站前瞻|西安交通大学陈冉升:六方氮化硼薄膜生长及hBN/BAlN异质结构电学特性的研究
 评论 ⋅  2023-07-13 16:41
CASICON 2023前瞻| 西安电子科技大学副教授张涛：低功函数凹槽阳极结构GaN SBD研究
 评论 ⋅  2023-07-04 16:08
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET
 评论 ⋅  2023-06-15 15:14
三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET
 评论 ⋅  2023-06-09 17:23
中芯国际“半导体结构及其形成方法”专利获授权
 评论 ⋅  2023-05-18 10:49
厦门大学张洪良团队在宽禁带氧化镓半导体掺杂电子结构研究取得进展
 评论 ⋅  2023-05-16 15:38
安森美开发使用沟槽结构SiC器件
 评论 ⋅  2023-05-12 16:32
厦门大学教授张洪良：氧化镓薄膜外延及电子结构研究
 评论 ⋅  2023-05-12 09:49
中国半导体十大研究进展候选推荐——溶液生长BiI/BiI3范德华异质结构实现高灵敏X-射线探测
 评论 ⋅  2023-04-19 17:59
西安交大科研人员在垂直结构hBN/BAlN异质结电学特性研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-03-28 16:45
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-03-16 15:12
闻泰黄石智能制造产业园项目（二期）主体结构封顶 计划今年Q3交付并启动生产
 评论 ⋅  2023-03-07 11:20
中微创芯高端智能功率模块制造及功率芯片研发项目一期主体结构封顶
 评论 ⋅  2023-01-16 18:52
功率半导体器件公司中微创芯高端智能功率模块制造及功率芯片研发项目一期主体结构封顶
 评论 ⋅  2023-01-16 17:26
年产设备2000台！北方华创N7项目即将全面完成结构封顶
 评论 ⋅  2022-12-23 14:15
简述低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术
 评论 ⋅  2022-12-14 15:17
山东省碳化硅材料重点实验室项目主体结构封顶
 评论 ⋅  2022-11-23 10:40
标准 | CASA立项《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》等5项团体标准
 评论 ⋅  2022-11-21 15:27
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