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上海光通信申请半导体
结构
相关专利,缩小半导体
结构
线宽提高器件密度
大橙光电新能源汽车光源灯具项目有序推进,主体
结构
预计3月底封顶
新微半导体“垂直腔面发射激光器的外延
结构
及其校验方法”专利公布
日月光半导体取得一种封装
结构
专利,简化了制造工艺
捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT
结构
及制备方法”专利公布
汉道精密年加工1.8亿件半导体零部件项目混凝土主体
结构
全部封顶
南京邮电大学研究团队在用于低功率光通信的GaN/CuI异质
结构
紫外光伏探测器取得进展
成都士兰半导体申请半导体外延
结构
及其制备方法专利,降低外延自掺杂效应
河北同光半导体申请具有 p/n 结
结构
的碳化硅单晶柔性膜专利,实现碳化硅薄膜高效剥离且无损伤
总投资27.75亿元!科大硅谷高新孵化园一期主体
结构
完成全面封顶
捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT
结构
及制备方法”专利公布
森国科申请 MOSFET
结构
相关专利,降低饱和电流
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管
结构
及其制备方法专利,有效降低器件VFSD
优炜芯紫外LED产业基地项目一期主体
结构
封顶
芯联集成“一种半导体
结构
及其形成方法”专利公布
顺义第三代等先进半导体产业标准化厂房项目(二期)主体
结构
顺利封顶
芯谷第三代半导体设备项目主体
结构
正式封顶
昕感科技申请一种终端复合
结构
及高压 SIC 器件专利,提升终端效率并提高工艺容错率
芯导电子“一种静电防护
结构
及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布
联华电子申请半导体
结构
以及其形成方法专利,具有特定的
结构
和元件排列
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利,使半导体器件获得更好的散热
结构
以及更低的电阻率
飞锃半导体申请半导体
结构
及其形成方法专利,提高器件性能和可靠性
总投资30亿 黄埔这一半导体项目主体
结构
将迎来全面封顶
长鑫存储申请半导体
结构
及制备方法专利,提高集成电路的存储密度
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞
结构
与制造方法专利,方法制作工艺简单
荣耀“封装芯片
结构
及其加工方法、和电子设备”专利获授权
苏州敏芯微电子申请力传感器的封装
结构
及其制造方法专利,解决现有力传感器力传递灵敏度低的问题
广东气派科技申请 MOSFET 的封装
结构
专利,采用封装
结构
得到的 MOSFET 散热性能佳
长电科技“腔体式封装
结构
及封装方法”专利获授权
长电科技“腔体式封装
结构
及封装方法”专利获授权
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