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香港将建设首条第三代半导体氮化镓晶圆生产线 目标2027年产能1万片
 评论 ⋅  2024-07-31 10:28
第三代半导体中“慢半拍”的氮化镓掀起并购热
 评论 ⋅  2024-07-23 09:19
清华大学功率半导体用氮化硅基板烧结装备研制项目签约湖南企业
 评论 ⋅  2024-07-22 13:47
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:27
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-19 10:57
广东微纳院半导体微纳加工中试平台通线，具有8英寸硅晶圆和氮化镓晶圆加工能力
 评论 ⋅  2024-07-15 10:33
英诺赛科“含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件及其制造方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-12 16:07
西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-11 17:31
鼎龙股份：多晶硅抛光液及氮化硅抛光液产品获千万元级批量订单
 评论 ⋅  2024-07-09 15:26
三安半导体“氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-03 15:11
北京大学申请金刚石基氮化物半导体异质结构制备方法专利，能够得到高质量且低热阻的金刚石基氮化物半导体异质结构
 评论 ⋅  2024-07-01 16:06
三安光电突破氮化镓芯片产业化难题
 评论 ⋅  2024-06-28 08:20
CASICON晶体大会平行论坛2：追踪氮化镓、超宽禁带晶体及其应用进展
 评论 ⋅  2024-06-23 22:17
CASICON晶体大会前瞻|中国科学院半导体研究所张逸韵:异质集成氮化镓微腔激光器及光电器件研究
 评论 ⋅  2024-06-13 16:25
名古屋大学天野浩团队Nature发文：氮化镓 的2D-Mg掺杂现象
 评论 ⋅  2024-06-11 09:54
CASICON晶体大会前瞻 |中国科学院半导体研究所刘志强：氮化物位错演化及控制研究
 评论 ⋅  2024-06-03 16:24
总投资10亿元，氮化硅材料项目签约落地浙江桐乡
 评论 ⋅  2024-06-03 10:35
CASICON晶体大会前瞻 |西安交通大学李强：六方氮化硼薄膜制备及器件应用
 评论 ⋅  2024-05-29 14:57
CASICON晶体大会前瞻|深圳大学刘新科：低成本垂直氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2024-05-29 11:02
莱特光电申请含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置专利
 评论 ⋅  2024-05-10 10:00
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
 评论 ⋅  2024-05-06 11:06
中国科大孙海定教授和武大刘胜院士Nature Electronics封面论文: 发明新型氮化镓光电二极管
 评论 ⋅  2024-04-30 14:07
CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳：一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2024-04-23 09:53
CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大学罗小蓉：《氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用
 评论 ⋅  2024-04-18 09:57
CSPSD 2024成都前瞻 |西交利物浦大学刘雯：用于功率转换系统的氮化镓单片集成
 评论 ⋅  2024-04-17 16:39
CSPSD 2024成都前瞻 |中国科学院微电子研究所蒋其梦：氮化镓功率器件开关安全工作区的研究
 评论 ⋅  2024-04-16 15:24
CSPSD 2024成都前瞻|北京工业大学张亚民：面向氮化镓微波功率器件的异质界面温升表征方法
 评论 ⋅  2024-04-15 16:52
年产3000万片氮化硅基板等产品项目签约浙江嘉兴 总投资约52亿元
 评论 ⋅  2024-03-29 16:28
大连理工大学“氮化镓气体传感器及其制备方法、应用”专利公布
 评论 ⋅  2024-03-29 11:10
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
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