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北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
中国科学院微电子所在厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-03-21 15:06
中科大孙海定教授Adv. Mater.: 构建双极型氮化镓PN结实现双通道加密光通信应用
 评论 ⋅  2024-03-11 17:46
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利，提高整个异质集成结构的热导率
 评论 ⋅  2024-03-06 10:13
东微半导申请氮化镓器件及其制造方法专利，提供一种氮化镓器件
 评论 ⋅  2024-03-05 13:51
中瓷电子：博威公司致力于为全球通信设备供应商提供氮化镓通信射频集成电路产品和服务
 评论 ⋅  2024-02-23 10:50
氮化镓的新变局 垂直整合成为重要目标
 评论 ⋅  2024-02-18 09:16
谁将成为功率氮化镓领域的参赛者和下一个收购目标？
 评论 ⋅  2024-01-25 19:53
器件新突破！香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管！
 评论 ⋅  2024-01-19 13:12
电子科技大学氮化物宽禁带半导体晶体生长系统配件与制备耗材采购项目竞争性磋商采购公告
 评论 ⋅  2024-01-16 14:13
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件，耐压能力大于6500V
北超低动态电阻氮化镓高压器件耐压6500V
 评论 ⋅  2024-01-11 11:17
山东发布新政，加快实施集成电路“强芯”等十大工程
新能源汽车5G光电碳化硅氮化镓第三代半导体
 评论 ⋅  2024-01-09 19:16
第四代半导体迎来新进展 相关A股公司抢抓“新风口”
氧化镓外延片单晶Ga2O3金刚石氮化铝
 评论 ⋅  2024-01-09 10:42
重大突破！第三代半导体在宁加速布局
第三代半导体硅基氮化镓外延片中电科碳化硅外延片
 评论 ⋅  2023-12-29 09:55
简述氮化镓(GaN)的应用市场
 评论 ⋅  2023-12-27 16:42
中国科学院长春光机所黎大兵研究团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝深紫外光电器件吉林省技术发明一等奖黎大兵孙晓娟蒋科吴亮徐春阳贲建伟
 评论 ⋅  2023-12-26 09:33
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 10:20
英特尔发力氮化镓
 评论 ⋅  2023-12-13 20:35
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-12-12 15:36
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产
 评论 ⋅  2023-12-11 11:27
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
IFWS 2023│南京大学修向前：基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术
 评论 ⋅  2023-12-07 15:51
IFWS 2023│六方氮化硼研究进展
 评论 ⋅  2023-12-06 11:20
IFWS 2023│追踪氮化镓功率电子器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-11-30 09:05
IFWS 2023│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 08:35
IFWS&SSLCHINA2023│香港科技大学教授陈敬：面向功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术
 评论 ⋅  2023-11-29 11:25
IFWS 2023前瞻│氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-18 17:35
IFWS 2023前瞻│氮化物半导体固态紫外技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-16 19:53
IFWS 2023前瞻│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-16 16:31
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