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意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议
 评论 ⋅  2025-04-01 10:24
镓特半导体取得一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器专利，能够提升氮化镓晶圆片生长尺寸
 评论 ⋅  2025-03-31 10:38
全球首创！九峰山实验室在氮极性氮化镓材料制备领域取得新突破
 评论 ⋅  2025-03-24 17:24
重磅发布｜九峰山实验室GaN系列成果首次发布！
九峰山实验室GaN研究成果8英寸氮化镓衬底
 评论 ⋅  2025-03-24 09:29
山东晶镓申请一种紫外光催化辅助的氮化镓晶圆抛光方法专利，提高了氮化镓晶圆的抛光效率
 评论 ⋅  2025-03-21 15:31
国星光电：子公司风华芯电氮化镓器件实现量产并开始接单
 评论 ⋅  2025-03-21 15:01
安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利，提升远场图像FFP质量、光束质量因子和激光相干性
 评论 ⋅  2025-03-20 11:03
西安交大科研人员制备出全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片
 评论 ⋅  2025-03-19 12:03
中企竞标收购比利时氮化镓厂商BelGaN
 评论 ⋅  2025-03-14 09:58
新微半导体宣布推出650V E-mode氮化镓功率工艺代工平台
 评论 ⋅  2025-03-11 16:19
广东芯赛威取得电源管理芯片及电路专利，可提高氮化镓器件在电源应用中的可靠性
 评论 ⋅  2025-03-11 15:59
赛微电子：公司已开展深圳产线建设，氮化镓芯片仍处于工艺开发阶段
 评论 ⋅  2025-03-06 18:00
CASICON重庆站：全面聚焦氮化镓、氧化镓、金刚石功率半导体技术及应用发展
 评论 ⋅  2025-02-28 17:39
Navitas预计2025年人工智能和电动汽车的氮化镓需求增加
 评论 ⋅  2025-02-26 17:26
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体氮化镓高效率智能供电芯片
 评论 ⋅  2025-02-26 11:01
CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准
 评论 ⋅  2025-02-26 11:00
厦门市三安集成电路有限公司取得氮化镓半导体器件专利，防水汽侵蚀能力较高
 评论 ⋅  2025-02-25 18:13
Navitas第四季度营收1800万美元，氮化镓收入创纪录
 评论 ⋅  2025-02-25 17:22
香港科技大学陈敬教授课题组发布多项氮化镓、碳化硅的最新研究进展
 评论 ⋅  2025-02-18 10:32
一批半导体项目签约衢州 涉及氧化镓、氮化铝单晶衬底等
 评论 ⋅  2025-02-07 16:51
北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-07 08:44
比利时氮化镓制造商BelGaN破产，中国买家竞购设备资产
 评论 ⋅  2025-01-21 07:52
《异质外延氮化镓外延层厚度测试 白光干涉法》CSA团体标准第一次讨论会召开
 评论 ⋅  2025-01-08 14:31
北京航天赛德申请氮化镓衬底抛光液专利，极大提升氮化镓衬底表面特性
 评论 ⋅  2025-01-08 11:02
南京集芯光电取得一种氮化镓生长加热炉专利，解决氮化镓采取和附着问题，提高产量
 评论 ⋅  2024-12-20 16:01
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和装置专利，大大提高氮化镓传感器的制备效率
 评论 ⋅  2024-12-20 15:59
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（三） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-18 16:34
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-17 16:33
先导激光氮化镓蓝光装备全链条国产化项目顺利立项
 评论 ⋅  2024-12-17 10:43
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（一） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-16 17:13
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