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山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学
晶体材料
4HSiC
衬底
8英寸
闻泰科技:安世半导体的产品主要包括Mosfet、逻辑与
晶体
管等
烁科
晶体
:奔跑在碳化硅半导体材料创新前沿
晶盛机电已成功生长出8英寸碳化硅
晶体
,将提升在第三代半导体材料端的竞争力
新型二维原子
晶体
材料Si₉C₁₅的构筑
大阪大学、丰田合成等合作利用Na助熔剂法培育出世界上最大的6英寸高品质GaN
晶体
6英寸高品质GaN
晶体
最新进展
三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA
晶体
管架构 提高30%性能
科友半导体应用电阻长晶炉突破高速率高品质SiC
晶体
生长的关键技术
业内领先!科友半导体6英寸SiC
晶体
厚度突破32mm
恒普科技量产推出新一代2.0版SiC电阻
晶体
生长炉
恒普科技
SiC晶体生长
SiC电阻晶体生长炉
晶体
电阻炉
重磅!3.5亿个
晶体
管,国内集成电路领域再突破
二维半导体环栅
晶体
管和垂直互补
晶体
管的阵列验证
中科院成功制备8英寸碳化硅
晶体
重磅发布 | 新一代SiC
晶体
生长炉,突破行业核心需求
恒普科技
SiC
感应晶体生长炉
SiC行业晶体长
应用材料推出CVD升级技术 以支持GAA
晶体
管结构
天津大学李立强教授课题组:有机
晶体
管新进展—实现五年长寿命
南京大学 | 基于MoS2-BN-Graphene范德华异质结的多功能半浮栅
晶体
管
天通股份2021年净利润4.15亿元,蓝宝石
晶体
材料业务营收同比增加123.74%
800亿
晶体
管,20块GPU 今年GTC大会上黄仁勋继续大秀“AI肌肉”
芯片上的突破!清华制成世界上栅极长度最小
晶体
管
清华大学团队首次实现了具有亚1nm栅极长度的
晶体
管
清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸
晶体
管研究方面取得重大突破
碳化硅技术再突破 烁科
晶体
、晶盛机电、露笑科技迎新进展
电科材料成功研制出8英寸碳化硅
晶体
实现小规模量产!
吴越半导体获战略融资,曾发布厚度突破1厘米的GaN
晶体
晶体
材料实验室陶绪堂教授团队在卤化物钙钛矿单晶生长及应用方面取得系列新成果
半导体材料龙头通美
晶体
科创板上市申请获受理,计划募资11.67亿元
深圳大学物理与光电工程学院副院长武红磊:氮化铝
晶体
PVT生长装置及技术研究
山西烁科
晶体
马康夫:化合物半导体材料发展展望
第
5
页/共
7
页
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