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晶盛机电:成功生长出 6 英寸碳化硅
晶体
砷化镓衬底研发商通美
晶体
拟科创板挂牌上市
【行业动态】英诺赛科、赛微电子、华为、安芯投资、美
晶体
、飞芯电子、至纯科技等动态
拟上科创板!砷化镓衬底厂商通美
晶体
已进行上市辅导
第三代半导体碳化硅单晶衬底企业同光
晶体
完成D轮融资
第三代
半导体
碳化硅
单晶衬底
同光晶体
D轮
融资
尺寸小于1纳米,中科院物理所单分子
晶体
管器件新突破
半导体项目新进展:天达晶阳、同光
晶体
、卓胜微、汉天下、鑫佳元半导体、北方集成电路技术创新中心、力积电等最新动态
天达晶阳
同光晶体
卓胜微
汉天下
鑫佳元半导体
北方集成电路
力积电
CFET结构
晶体
管有助于2nm以下制程的新一代半导体技术
第三代半导体材料碳化硅单晶衬底制造企业同光
晶体
完成C+轮融资
第三代半导体
材料
碳化硅
单晶衬底
同光晶体
C+轮
融资
台积电:3nm进度超前,2nm将转向GAA
晶体
管
台积电
3nm
2nm
GAA
晶体管
同光
晶体
完成C轮融资,CPE领投助其新一轮产能扩张计划
同光晶体
C轮融资
CPE领投
产能
扩张
计划
意法半导体推出了新系列双非对称氮化镓(GaN)
晶体
管的首款产品
半导体材料碳化硅衬底研发生产商同光
晶体
完成B轮融资
中山大学黎城朗:凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通
晶体
管电学特性的影响研究
山东大学张雷:温度梯度对PVT法生长AlN
晶体
的影响
同光
晶体
董事长郑清超:月产碳化硅单晶衬底3000片,全年预计销售突破2亿元
台积电和Graphcore准备合作研发3nm AI加速芯片
积电
晶体管
节点
芯片
工艺
处理器
格芯赢得AI芯片业务
功耗
晶体管
电压
设计
芯片
单元
Transphorm的第二款900 V GaN FET现已投入生产
功率
氮化
器件
晶体管
伊利诺伊
封装
世界最大AI处理器升级7nm工艺:85万核心、2.6万亿
晶体
管
芯片
核心
晶体管
加速卡
翻倍
面积
GaN器件的直接驱动配置
开关
拓扑
晶体管
器件
损耗
更佳
英国Graphcore推出比英伟达更复杂的新款AI处理器
芯片
英伟
该公司
晶体管
并行
人工智能
总投资7亿元!碳化硅
晶体
和衬底片基地项目落户滁州市南谯区
碳化硅
晶体
衬底片
基地
落户
滁州
南谯区
超高压
晶体
管问世 旨在提高电动车的续航能力和效率
晶体管
电压
氧化
电子器件
电子
氮化
比官方宣传还猛!台积电5nm
晶体
管密度比7nm提高88%
台积电
5nm
晶体管密度
7nm
88%
同光
晶体
10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目落地河北涞源县
同光晶体
10万片
直径
4-6英寸
碳化硅
单晶衬底
河北
涞源县
「聚焦」碳化硅:带动山西半导体产业集群发展
碳化硅
山西
半导体产业集群
晶片
碳化硅材料
山西烁科晶体
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