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无锡诞生全球最薄半导体GaN
晶体
,厚度突破1厘米!
加拿大多伦多大学教授吴伟东:GaN功率
晶体
管和功率模块的智能栅极驱动器
中科院半导体所张逸韵:基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线
晶体
管及其日盲光电
晶体
管探测器研究
山东大学徐明升:基于金刚石金属半导体场效应
晶体
管的日盲探测器
西安交通大学王艳丰:大面积单晶金刚石及场效应
晶体
管的研究
院士专家齐聚赋能如皋第三代半导体
晶体
产业发展
北理工在钙钛矿
晶体
的消色差1/4波片特性研究方面取得突破进展
北理工
钙钛矿晶体
消色差
1/4波片特性
研究
突破进展
阿里平头哥发布自研云芯片: 5nm工艺、600亿
晶体
管
山东力冠微电子孙军伟:第三代半导体
晶体
生长及相关装备进展
总投资约10亿元 弘远
晶体
半导体金刚石基片项目落户江苏如皋
【CASICON 2021】苏州能讯高能半导体Amagad Ali Hasan:基于物理的5G射频GaN
晶体
管模型、趋势和挑战
氮化镓
晶体
管和碳化硅MOSFET
10万片SiC项目投产,60万片项目在路上,同光
晶体
拟科创板上市
总投资3亿元,碳化硅项目签约入驻怀化高新区
碳化硅
项目
怀化高新区
碳化硅晶圆
单质
碳晶体
材料
晶盛机电:成功生长出 6 英寸碳化硅
晶体
砷化镓衬底研发商通美
晶体
拟科创板挂牌上市
【行业动态】英诺赛科、赛微电子、华为、安芯投资、美
晶体
、飞芯电子、至纯科技等动态
拟上科创板!砷化镓衬底厂商通美
晶体
已进行上市辅导
第三代半导体碳化硅单晶衬底企业同光
晶体
完成D轮融资
第三代
半导体
碳化硅
单晶衬底
同光晶体
D轮
融资
尺寸小于1纳米,中科院物理所单分子
晶体
管器件新突破
半导体项目新进展:天达晶阳、同光
晶体
、卓胜微、汉天下、鑫佳元半导体、北方集成电路技术创新中心、力积电等最新动态
天达晶阳
同光晶体
卓胜微
汉天下
鑫佳元半导体
北方集成电路
力积电
CFET结构
晶体
管有助于2nm以下制程的新一代半导体技术
第三代半导体材料碳化硅单晶衬底制造企业同光
晶体
完成C+轮融资
第三代半导体
材料
碳化硅
单晶衬底
同光晶体
C+轮
融资
台积电:3nm进度超前,2nm将转向GAA
晶体
管
台积电
3nm
2nm
GAA
晶体管
同光
晶体
完成C轮融资,CPE领投助其新一轮产能扩张计划
同光晶体
C轮融资
CPE领投
产能
扩张
计划
意法半导体推出了新系列双非对称氮化镓(GaN)
晶体
管的首款产品
半导体材料碳化硅衬底研发生产商同光
晶体
完成B轮融资
中山大学黎城朗:凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通
晶体
管电学特性的影响研究
山东大学张雷:温度梯度对PVT法生长AlN
晶体
的影响
同光
晶体
董事长郑清超:月产碳化硅单晶衬底3000片,全年预计销售突破2亿元
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6
页/共
7
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