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从基础到应用碳化硅晶体研制获突破
 评论 ⋅  2023-01-28 15:40
重大突破！科友半导体碳化硅跻身8吋行列，晶体无缺陷最大直径超过204毫米
 评论 ⋅  2022-12-30 08:27
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-12 13:23
国际领先水平！突破SiC晶体长厚的关键材料
 评论 ⋅  2022-12-12 11:17
复旦大学研究团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管
 评论 ⋅  2022-12-12 11:08
GAA 晶体管继任者？复旦大学团队公布CFET新进展！
 评论 ⋅  2022-12-10 19:02
CASA发布T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
 评论 ⋅  2022-12-09 15:16
晶盛机电已成功生长出8英寸碳化硅晶体，并建设6英寸碳化硅晶体研发实验线
 评论 ⋅  2022-12-07 16:27
晶盛机电：已成功生长出8英寸碳化硅晶体
 评论 ⋅  2022-12-07 16:05
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-07 14:53
中山大学电子与信息工程学院（微电子学院）晶圆级二维原子晶体材料MOCVD生长系统采购项目公开招标公告
 评论 ⋅  2022-11-29 11:22
晶盛机电：已成功长出8英寸碳化硅晶体，6英寸产品已通过部分客户验证
 评论 ⋅  2022-11-24 14:38
深圳智芯微电子牵头起草的《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》团体标准已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:24
晶盛机电已成功生长出8英寸碳化硅晶体
 评论 ⋅  2022-10-27 18:46
深圳智芯微牵头T/CASAS 022《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:13
山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
 评论 ⋅  2022-09-28 15:53
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
闻泰科技：安世半导体的产品主要包括Mosfet、逻辑与晶体管等
 评论 ⋅  2022-09-19 16:38
烁科晶体：奔跑在碳化硅半导体材料创新前沿
 评论 ⋅  2022-09-16 14:52
晶盛机电已成功生长出8英寸碳化硅晶体，将提升在第三代半导体材料端的竞争力
 评论 ⋅  2022-09-02 09:20
新型二维原子晶体材料Si₉C₁₅的构筑
 评论 ⋅  2022-08-26 11:56
大阪大学、丰田合成等合作利用Na助熔剂法培育出世界上最大的6英寸高品质GaN晶体
 评论 ⋅  2022-07-25 17:14
6英寸高品质GaN晶体最新进展
 评论 ⋅  2022-07-14 19:16
三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA晶体管架构 提高30%性能
 评论 ⋅  2022-06-30 16:52
科友半导体应用电阻长晶炉突破高速率高品质SiC晶体生长的关键技术
 评论 ⋅  2022-06-29 16:55
业内领先！科友半导体6英寸SiC晶体厚度突破32mm
 评论 ⋅  2022-06-20 11:10
恒普科技量产推出新一代2.0版SiC电阻晶体生长炉
恒普科技SiC晶体生长SiC电阻晶体生长炉晶体电阻炉
 评论 ⋅  2022-06-17 15:00
重磅！3.5亿个晶体管，国内集成电路领域再突破
 评论 ⋅  2022-05-20 16:51
二维半导体环栅晶体管和垂直互补晶体管的阵列验证
 评论 ⋅  2022-05-13 09:15
中科院成功制备8英寸碳化硅晶体
 评论 ⋅  2022-05-07 10:41
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