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科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm！
 评论 ⋅  2024-05-31 14:23
CASICON晶体大会前瞻 |江风益院士：V形PN结铟镓氮发光及应用
 评论 ⋅  2024-05-30 11:06
CASICON晶体大会前瞻 |北京大学教授沈波：AlN单晶衬底和外延薄膜的制备
 评论 ⋅  2024-05-30 10:10
CASICON晶体大会前瞻 |江苏通用半导体巩铁建：碳化硅晶锭剥离工艺应用
 评论 ⋅  2024-05-29 15:00
CASICON晶体大会前瞻 |西安交通大学李强：六方氮化硼薄膜制备及器件应用
 评论 ⋅  2024-05-29 14:57
CASICON晶体大会前瞻 |广东工业大学张紫辉：界面缺陷效应对 GaN功率电子器件的影响研究
 评论 ⋅  2024-05-29 11:12
CASICON晶体大会前瞻|深圳大学刘新科：低成本垂直氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2024-05-29 11:02
CASICON晶体大会前瞻|山东华光：高功率半导体激光器核心外延材料及芯片研究进展
 评论 ⋅  2024-05-24 14:06
会议邀请| 2024新一代半导体晶体技术及应用大会将于6月21-23日济南召开
 评论 ⋅  2024-05-23 16:40
定档| 2024新一代半导体晶体技术及应用大会6月21-23日济南召开
 评论 ⋅  2024-05-17 14:29
以小晶体带动大产业，济南晶谷研究院打造具有核心竞争力的新一代半导体产业集群
 评论 ⋅  2024-05-13 08:32
CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳：一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2024-04-23 09:53
厦门大学康俊勇教授团队：人工智能无损表征技术，助力SiC晶体生长
 评论 ⋅  2024-03-29 10:53
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
品牌推荐│烁科晶体将亮相CSE化合物半导体产业博览会
 评论 ⋅  2024-03-13 16:25
通美晶体入选第八批国家级制造业单项冠军企业 引领磷化铟半导体材料发展新风向
 评论 ⋅  2024-03-12 18:03
山西华芯半导体晶体材料产业基地蓝宝石晶体已实现量产
 评论 ⋅  2024-03-06 11:55
西电郝跃院士团队在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-02-20 14:12
中机新材董事长陈斌一行到访山东大学晶体材料国家重点实验室
 评论 ⋅  2024-01-31 16:35
天岳先进：持续进行碳化硅单晶基础研究以提高晶体生长效率和质量
 评论 ⋅  2024-01-30 18:00
昆明理工大学在溶液法生长高纯3C-SiC晶体研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-01-26 17:37
器件新突破！香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管！
 评论 ⋅  2024-01-19 13:12
电子科技大学氮化物宽禁带半导体晶体生长系统配件与制备耗材采购项目竞争性磋商采购公告
 评论 ⋅  2024-01-16 14:13
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4HSiC晶体缺陷晶体生长
 评论 ⋅  2024-01-02 15:38
金刚石基板上的GaN晶体管，散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学东北大学金刚石基板氮化镓晶体管
 评论 ⋅  2023-12-21 16:57
IFWS 2023│华南师范大学尹以安：具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
 评论 ⋅  2023-12-18 10:11
国产碳化硅半导体材料企业的进阶样本 天岳先进宗艳民：核心技术掌控在自己手中
碳化硅，天岳先进，800V碳化硅，衬底，晶体，宽禁带半导体
 评论 ⋅  2023-12-15 10:57
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体
 评论 ⋅  2023-12-08 14:32
湖南大学物电院刘渊教授团队在小尺寸晶体管研究中取得新进展
 评论 ⋅  2023-12-06 17:10
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