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清华大学团队首次实现了具有亚1nm栅极长度的晶体管
 评论 ⋅  2022-03-11 10:35
清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破
 评论 ⋅  2022-03-11 10:35
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
中科院半导体所张逸韵：基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:22
山东大学徐明升：基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器
 评论 ⋅  2021-12-10 17:16
西安交通大学王艳丰：大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:13
阿里平头哥发布自研云芯片: 5nm工艺、600亿晶体管
 评论 ⋅  2021-10-19 17:44
【CASICON 2021】苏州能讯高能半导体Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射频GaN晶体管模型、趋势和挑战
 评论 ⋅  2021-09-18 17:55
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET
 评论 ⋅  2021-09-15 15:58
尺寸小于1纳米，中科院物理所单分子晶体管器件新突破
 评论 ⋅  2021-04-19 20:25
CFET结构晶体管有助于2nm以下制程的新一代半导体技术
 评论 ⋅  2021-03-11 11:11
台积电：3nm进度超前，2nm将转向GAA晶体管
台积电3nm2nmGAA晶体管
 评论 ⋅  2021-02-19 09:24
意法半导体推出了新系列双非对称氮化镓（GaN）晶体管的首款产品
 评论 ⋅  2021-01-20 16:11
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
台积电和Graphcore准备合作研发3nm AI加速芯片
积电晶体管节点芯片工艺处理器
 评论 ⋅  2020-08-28 01:52
格芯赢得AI芯片业务
功耗晶体管电压设计芯片单元
 评论 ⋅  2020-08-20 08:08
Transphorm的第二款900 V GaN FET现已投入生产
功率氮化器件晶体管伊利诺伊封装
 评论 ⋅  2020-08-19 05:52
世界最大AI处理器升级7nm工艺：85万核心、2.6万亿晶体管
芯片核心晶体管加速卡翻倍面积
 评论 ⋅  2020-08-19 01:52
GaN器件的直接驱动配置
开关拓扑晶体管器件损耗更佳
 评论 ⋅  2020-08-04 01:37
英国Graphcore推出比英伟达更复杂的新款AI处理器
芯片英伟该公司晶体管并行人工智能
 评论 ⋅  2020-07-16 02:17
超高压晶体管问世 旨在提高电动车的续航能力和效率
晶体管电压氧化电子器件电子氮化
 评论 ⋅  2020-06-03 02:32
比官方宣传还猛！台积电5nm晶体管密度比7nm提高88％
台积电5nm晶体管密度7nm88％
 评论 ⋅  2020-03-25 08:47
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