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CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳:一种新型氮化镓基发光高电子迁移率
晶体管
北京大学申请p沟道氮化镓异质结
晶体管
及其制备方法专利,实现电流密度的增加
西电郝跃院士团队在超陡垂直
晶体管
器件研究方面取得重要进展
器件新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验
晶体管
!
金刚石基板上的GaN
晶体管
,散热性能提高2.3倍
日本大阪公立大学
东北大学
金刚石
基板
氮化镓
晶体管
IFWS 2023│华南师范大学尹以安:具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直
晶体管
研究
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭:GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率
晶体管
湖南大学物电院刘渊教授团队在小尺寸
晶体管
研究中取得新进展
山东大学徐明升:金刚石场效应
晶体管
及深紫外光电探测研究
西安交通大学王玮:低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应
晶体管
研究
CASICON西安站前瞻|西安交通大学王玮:低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应
晶体管
研究
MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率
晶体管
中的应用
实现1>1+1的创新!Wolfspeed 碳化硅基氮化镓功率
晶体管
,赋能蜂窝通信创新
中国科大龙世兵课题组研制出氧化镓垂直槽栅场效应
晶体管
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应
晶体管
器件
复旦大学研究团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层
晶体管
GAA
晶体管
继任者?复旦大学团队公布CFET新进展!
CASA发布T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应
晶体管
通用技术规范
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应
晶体管
器件
深圳智芯微电子牵头起草的《三相智能电表用氮化镓场效应
晶体管
通用技术规范》团体标准已形成委员会草案
深圳智芯微牵头T/CASAS 022《三相智能电表用氮化镓场效应
晶体管
通用技术规范》征求意见
闻泰科技:安世半导体的产品主要包括Mosfet、逻辑与
晶体管
等
三星宣布3纳米芯片正式开始量产 采用新 GAA
晶体管
架构 提高30%性能
重磅!3.5亿个
晶体管
,国内集成电路领域再突破
二维半导体环栅
晶体管
和垂直互补
晶体管
的阵列验证
应用材料推出CVD升级技术 以支持GAA
晶体管
结构
天津大学李立强教授课题组:有机
晶体管
新进展—实现五年长寿命
南京大学 | 基于MoS2-BN-Graphene范德华异质结的多功能半浮栅
晶体管
800亿
晶体管
,20块GPU 今年GTC大会上黄仁勋继续大秀“AI肌肉”
芯片上的突破!清华制成世界上栅极长度最小
晶体管
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