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技术进展|突破性研究：GaN-on-Diamond键合界面热阻显著降低
 评论 ⋅  2024-05-06 13:57
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
 评论 ⋅  2024-05-06 11:06
中国科大孙海定教授和武大刘胜院士Nature Electronics封面论文: 发明新型氮化镓光电二极管
 评论 ⋅  2024-04-30 14:07
南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术
 评论 ⋅  2024-04-30 10:06
厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展
 评论 ⋅  2024-04-29 07:34
美国斥资110亿美元推动半导体领域技术研究
 评论 ⋅  2024-04-27 09:44
CSPSD 2024成都前瞻|青禾晶元半导体母凤文：先进键合集成技术与应用
 评论 ⋅  2024-04-23 09:51
CSPSD 2024成都前瞻|西安交通大学王来利：碳化硅功率半导体器件与变换器封装集成技术研究
 评论 ⋅  2024-04-22 10:07
CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技刘勇：PGaN增强型GaN功率器件设计与仿真技术
 评论 ⋅  2024-04-19 15:02
CSPSD 2024成都前瞻|湖南三安半导体刘成：应用于工业及汽车市场的GaN功率器件制造技术
 评论 ⋅  2024-04-19 09:57
CSPSD 2024成都前瞻|南方科技大学叶怀宇：碳化硅先进封装及全铜化技术
 评论 ⋅  2024-04-19 09:49
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学张金平：IGBT的技术演进与未来发展趋势
 评论 ⋅  2024-04-18 17:16
CSPSD 2024成都前瞻|中国科学院上海微系统与信息技术研究所程新红：SiC MOSFET 过流保护技术分析与研发
 评论 ⋅  2024-04-18 13:37
CSPSD 2024成都前瞻|四川大学副教授黄铭敏：碳化硅功率器件的辐射效应及抗辐射技术
 评论 ⋅  2024-04-15 16:17
西电张玉明教授获2023年度陕西省科学技术奖技术发明一等奖
 评论 ⋅  2024-04-15 15:06
世纪金芯宣布实现了8英寸SiC关键技术突破！
 评论 ⋅  2024-04-15 13:17
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体器件
 评论 ⋅  2024-04-07 18:23
复杂碳化硅构件激光选区烧结增材制造技术及产业化
 评论 ⋅  2024-04-07 14:20
CSE 2024专题会日程出炉，LUCEDA 光电子芯片设计技术研讨会暨2024全球用户大会
 评论 ⋅  2024-04-04 16:09
SK海力士联合TEMC开发半导体行业首个氖气回收技术
 评论 ⋅  2024-04-02 19:56
浙江省集成电路 EDA 技术重点企业研究院正式挂牌
 评论 ⋅  2024-04-02 19:54
九峰山实验室+华中科大联合攻关，一种新型光刻胶技术完成初步工艺验证
 评论 ⋅  2024-04-02 19:48
2024九峰山论坛报告公布！平行论坛4：光电子技术
 评论 ⋅  2024-04-01 08:55
2024九峰山论坛报告公布！平行论坛5：功率电子技术
 评论 ⋅  2024-04-01 08:54
2024九峰山论坛报告抢先看！平行论坛6：无线电子技术
 评论 ⋅  2024-04-01 08:51
2024九峰山论坛报告抢先看！平行论坛7：先进半导体检测技术与标准
 评论 ⋅  2024-04-01 08:49
天岳先进成立“长三角-天岳国家技术创新中心”
 评论 ⋅  2024-03-29 15:21
厦门大学康俊勇教授团队：人工智能无损表征技术，助力SiC晶体生长
 评论 ⋅  2024-03-29 10:53
一种IGBT结温预测的方法
 评论 ⋅  2024-03-28 20:31
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