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广东芯赛威取得电源管理芯片及电路专利，可提高氮化镓器件在电源应用中的可靠性
 评论 ⋅  2025-03-11 15:59
CASA与CSA共同立项《面向光治疗的柔性LED光源拉伸弯曲可靠性试验方法》等2项标准
 评论 ⋅  2025-03-10 14:38
高裕电子将建设第三代半导体可靠性测试设备生产基地
 评论 ⋅  2025-02-26 18:26
格至达智能取得IGBT功率模块专利，保证可靠性和耐用性
 评论 ⋅  2025-02-18 14:23
华虹宏力“提升芯片良率和可靠性的方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-11 16:59
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
康美特庞凯敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封装材料 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 14:15
IFWS&SSLCHINA2024|CASA9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布
 评论 ⋅  2024-11-19 17:14
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利，提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 15:53
高可靠性高功率半导体器件IDM项目在宜兴签约 总投资约30亿元
 评论 ⋅  2024-07-18 09:40
北京大学在GaN功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
 评论 ⋅  2024-07-12 22:09
紫光集电高可靠性芯片封装测试项目产线通线
 评论 ⋅  2024-06-13 10:07
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学徐跃杭:金刚石半导体器件可靠性新机制
 评论 ⋅  2024-04-23 10:12
CSPSD 2024成都前瞻|西安电子科技大学何艳静：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究
 评论 ⋅  2024-04-22 11:54
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学李俊宏：基于傅里叶乘法特性的高可靠性无半桥直流无刷电机驱动电路研究
 评论 ⋅  2024-04-19 15:26
CSPSD 2024成都前瞻|大连理工大学王德君：SiC半导体表界面缺陷及MOS器件可靠性
 评论 ⋅  2024-04-18 13:47
CSPSD 2024成都前瞻 |东南大学魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究
 评论 ⋅  2024-04-16 15:24
天狼芯半导体上海车规级可靠性实验中心正式启用
 评论 ⋅  2024-02-29 16:10
华为公司申请功率器件专利，提高半导体器件的可靠性
 评论 ⋅  2024-01-18 16:58
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-12-12 15:36
IFWS 2023│大连理工大学王德君： 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径
 评论 ⋅  2023-12-11 17:38
IFWS&SSLCHINA 2023│英诺赛科欧洲总经理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本
 评论 ⋅  2023-11-29 09:39
致能科技首发1200V 高可靠性氮化镓器件平台
 评论 ⋅  2023-11-10 19:43
国星光电SiC-MOSFET器件获得车规级认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核
 评论 ⋅  2023-10-24 10:30
长电科技高可靠性车载SiC功率器件封装解决方案
 评论 ⋅  2023-10-08 14:32
IQE和VisIC宣布合作开发车用高可靠性D模式GaN功率产品
 评论 ⋅  2023-09-21 15:17
纳芯微：光伏增长势头强劲，芯片灵活性及可靠性要求提升
 评论 ⋅  2023-08-25 11:57
华域麦格纳王飞：电驱动系统关键零部件可靠性全流程思考
 评论 ⋅  2023-07-07 10:48
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