首页 > 新闻资讯 > 搜索
标准 | 《Sub-6GHz GaN 射频产品可靠性筛选和验收方法》等5项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2023-03-20 10:14
简述GaN功率器件应用可靠性增长研究
 评论 ⋅  2023-02-24 15:10
俄亥俄州立大学的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力
 评论 ⋅  2023-01-03 15:21
复旦大学牵头起草的《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》征求意见
 评论 ⋅  2022-11-21 15:30
复旦大学牵头起草的《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》征求意见
 评论 ⋅  2022-11-11 15:20
清纯半导体SiC MOSFET获得AEC-Q101车规认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核
 评论 ⋅  2022-10-09 17:22
一种基于基板埋入技术的新型SiC功率模块封装及可靠性优化设计方法
 评论 ⋅  2022-09-02 09:52
一种基于基板埋入技术的SiC功率模块封装及可靠性优化设计
 评论 ⋅  2022-08-26 14:20
高可靠性电容式硅麦克风在车载中的应用
 评论 ⋅  2022-05-23 17:04
SiC MOSFET 高温栅氧可靠性研究
 评论 ⋅  2022-04-08 15:24
《SiC MOSFET可靠性分析》联盟技术报告正式立项
 评论 ⋅  2022-03-24 15:51
GaN功率半导体的可靠性挑战与应对之策
 评论 ⋅  2022-01-13 16:02
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
八位嘉宾前沿报告分享！ 半导体照明芯片、封装、模组及可靠性论坛圆满召开
半导体照明芯片封装模组可靠性
 评论 ⋅  2021-12-11 18:23
SSLCHINA 2021：半导体照明芯片、封装、模组及可靠性论坛圆满召开
 评论 ⋅  2021-12-10 09:59
西安电子科技大学张艺蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究
西安电子科技大学微电子学院教授张艺蒙SiC功率MOSFET器件可靠性
 评论 ⋅  2021-12-10 09:31
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：半导体照明芯片、封装、模组及可靠性最新日程出炉
 评论 ⋅  2021-11-29 17:38
【CASICON 2021】复旦大学樊嘉杰：SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计
 评论 ⋅  2021-09-18 17:26
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-18 14:00
【CASICON 2021】电子科技大学邓小川：极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究
 评论 ⋅  2021-09-15 15:20
【CASICON 2021】东南大学教授刘斯扬：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
 评论 ⋅  2021-09-14 10:30
CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-10 10:21
CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展
 评论 ⋅  2021-09-10 09:45
CASICON 2021前瞻：复旦大学青年研究员樊嘉杰将出席南京功率与射频半导体应用峰会
复旦大学樊嘉杰CASICON2021SiC功率器件先进封装材料可靠性优化设计
 评论 ⋅  2021-09-04 15:15
电子科技大学教授邓小川将出席南京功率与射频应用峰会 分享极端应力下SiC MOSFET器件动态可靠性研究进展
 评论 ⋅  2021-09-03 15:30
碳化硅材料技术对器件可靠性的影响
 评论 ⋅  2021-08-16 16:11
自动驾驶芯片需求激增，可靠性如何保证？
 评论 ⋅  2021-07-21 11:14
自动驾驶芯片需求激增，可靠性如何保证？
 评论 ⋅  2021-07-21 11:04
意法半导体推出高性能GaN系列！面向汽车应用、可靠性更高
 评论 ⋅  2021-05-20 10:14
东芝开发碳化硅功率模块新封装技术 提高可靠性并减小尺寸
 评论 ⋅  2021-05-12 14:19
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部