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CASICON西安站前瞻|西安交通大学田振寰：基于Micro-LED的未来照明、显示与通信技术
 评论 ⋅  2023-07-13 17:39
CASICON西安站前瞻|西安电子科技大学王逸飞：基于氧化镓材料性能调控及高性能日盲紫外光电探测器的研究
 评论 ⋅  2023-07-13 17:12
CASICON西安站前瞻|西安交通大学张启凡：基于大面积自组装hBN纳米片薄膜的超低暗电流深紫外光电探测器
 评论 ⋅  2023-07-13 16:56
CASICON西安站前瞻|西安交通大学陈冉升:六方氮化硼薄膜生长及hBN/BAlN异质结构电学特性的研究
 评论 ⋅  2023-07-13 16:41
纳微GaNFast+GeneSiC全系亮相慕尼黑电子展
 评论 ⋅  2023-07-13 16:03
CASICON西安站前瞻|西安交通大学王玮：低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
 评论 ⋅  2023-07-13 16:02
CASICON西安站前瞻|陕西科技大学尉国栋：SiC基微型核电池的研究
 评论 ⋅  2023-07-13 15:35
CASICON西安站前瞻|西安电子科技大学孙汝军：氧化镓的电子态缺陷研究
 评论 ⋅  2023-07-13 15:20
CASICON西安站前瞻|中国科学院微电子所黄森：Si基GaN功率器件制备技术与集成
 评论 ⋅  2023-07-13 11:36
CASICON 2023前瞻 中电科55所黄润华：SiC MOSFET器件技术现状及产品开发进展
 评论 ⋅  2023-07-13 11:24
CASICON 2023前瞻北京大学副教授许福军：AlGaN基深紫外发光材料和器件研究
 评论 ⋅  2023-07-13 11:11
大族激光：应用于第三代半导体的SiC晶锭激光切片机正与客户进行验证
 评论 ⋅  2023-07-13 09:24
CASICON西安站前瞻|西安交通大学教授杨旭：宽禁带器件应用与集成化研究进展
 评论 ⋅  2023-07-10 14:33
CASICON西安站前瞻|西安电子科技大学教授许晟瑞将参加2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛
 评论 ⋅  2023-07-07 16:55
CASICON西安站前瞻|优威芯电子将参加2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛
 评论 ⋅  2023-07-07 16:39
CASICON西安站前瞻|西安电子科技大学教授宁静：宽禁带氮化物外延材料及集成器件
 评论 ⋅  2023-07-07 16:13
CASICON西安站前瞻|中电科13所将参加2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛
 评论 ⋅  2023-07-07 15:57
CASICON西安站前瞻|香港科技大学教授李世玮将出席 2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛
 评论 ⋅  2023-07-07 15:41
CASICON西安站前瞻|南京大学教授陈鹏将出席2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛
 评论 ⋅  2023-07-07 15:25
CASICON西安站前瞻|香港科技大学成元捷将出席2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛
 评论 ⋅  2023-07-07 15:00
CASICON西安站前瞻|中镓半导体将参加2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛
 评论 ⋅  2023-07-07 14:43
机构：功率SiC和GaN生态系统正在经历重大变革
 评论 ⋅  2023-07-07 13:57
瀚天天成宣布开始量产 8 英寸SiC外延晶片，已签订1.92亿美元长单
 评论 ⋅  2023-07-06 18:54
SiC供需缺口较大，天岳先进：已与英飞凌、博世集团等加强合作
 评论 ⋅  2023-07-05 13:07
CASICON 2023前瞻 苏州锴威特董事长丁国华：SiC MOSFET在储能应用中的机会及挑战
 评论 ⋅  2023-07-04 16:55
CASICON 2023前瞻| 西安电子科技大学副教授张涛：低功函数凹槽阳极结构GaN SBD研究
 评论 ⋅  2023-07-04 16:08
涉及SiC，厦门三优光电项目封顶
 评论 ⋅  2023-07-04 10:39
国产8英寸SiC设备获重大突破！
 评论 ⋅  2023-07-03 09:27
CASA标准SiC MOSFET阈值电压测试方法征求意见
 评论 ⋅  2023-06-29 17:49
中电化合物与韩国Power Master签约，供应8英寸在内的SiC材料
 评论 ⋅  2023-06-28 10:29
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