首页 > 新闻资讯 > 搜索
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊：超过SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 10:40
【CASICON 2021】Crosslight创始人李湛明：将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角
 评论 ⋅  2021-09-14 10:02
【CASICON 2021】中国电科首席科学家陈堂胜：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 09:51
【CASICON 2021】南京工业职业技术大学雷建明：GaN功率开关器件及其高频电源应用
 评论 ⋅  2021-09-14 09:42
GaN功率器件未来5-6年的发展趋势
 评论 ⋅  2021-09-13 14:06
CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-10 10:21
国产SiC & GaN功率器件已达国际一流水平，组建欧洲销售团队“出海"
 评论 ⋅  2021-09-09 10:26
CASICON 2021前瞻：将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角
 评论 ⋅  2021-09-08 10:45
聚能创芯/聚能晶源总经理袁理将出席2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会
聚能创芯聚能晶源总经理袁理快充应用GaN材料器件技术功率射频
 评论 ⋅  2021-09-06 14:45
CASICON 2021前瞻：南京大学电子科学与工程学院陈鹏教授将出席南京功率与射频半导体应用峰会
南京大学陈鹏教授GaN基肖特基功率器件研究新进展
 评论 ⋅  2021-09-04 12:34
中科院上海微系统所程新红研究员将出席南京功率与射频应用峰会，将带来“SOI基GaN材料及功率器件集成技术进展”
中科院上海微系统所程新红研究员南京功率射频应用峰会，SOIGaN材料功率器件集成技术
 评论 ⋅  2021-09-03 15:32
国星光电：公司近期推出的第三代半导体新品GaN-DFN器件可应用于新能源汽车充电、手机快充等
国星光电第三代半导体GaN-DFN器件新能源汽车充电手机快充
 评论 ⋅  2021-08-31 13:47
北京航天微电芯片孵化产业园开工，将建GaN/GaAs射频芯片研制线
 评论 ⋅  2021-08-30 16:50
气派科技：公司开发出了国内首款5G MIMO基站GaN微波射频功放塑封封装产品
 评论 ⋅  2021-08-27 15:16
赛微电子：已推出数款GaN功率芯片产品并进入小批量生产
 评论 ⋅  2021-08-27 13:51
快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”，落地这一领域可每年省电40亿度
英飞凌第三代半导体器件MOSFETSiCMOSFETSiC模块GaNHEMTIGBT
 评论 ⋅  2021-08-11 15:39
Si基GaN 射频器件研究进展
 评论 ⋅  2021-08-11 14:21
瀚镓半导体将在浦东建设4英寸GaN中试线
 评论 ⋅  2021-08-10 13:52
英飞凌：SiC、GaN功率元件5年内成本将逐步降低
 评论 ⋅  2021-08-09 16:35
华微电子：公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术
 评论 ⋅  2021-08-06 16:18
GaN电源转换产品供应商Transphorm收购AFSW晶圆厂100%权益
 评论 ⋅  2021-08-03 11:38
华为入局氮化镓快充市场，2021或迎GaN快充爆发期？
 评论 ⋅  2021-07-28 10:31
纳米多孔GaN+QD制作MicroLED
 评论 ⋅  2021-06-30 15:25
禹创半导体完成超亿元A+轮融资，未来继续攻关第三代GaN等产品研发
 评论 ⋅  2021-06-24 14:05
第三代半导体高速成长GaN功率元件今年产值可望大增9成
 评论 ⋅  2021-06-23 16:18
氮化镓（GaN）射频器件市场：2026年预计达到24亿美元以上
 评论 ⋅  2021-06-21 09:54
Eggtronic推出基于GaN的电动汽车无线充电技术
 评论 ⋅  2021-06-16 16:02
阈值高达8.4V！GaN又破解一项难题
 评论 ⋅  2021-06-16 11:08
赛微电子：GaN外延材料一期产能为1万片/年，已签订千万级合同
 评论 ⋅  2021-06-07 14:16
到2027年，GaN和SiC功率半导体市场预计将超过45亿美元
 评论 ⋅  2021-06-01 09:16
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部