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GaN快充将于2025年占领一半市场
 评论 ⋅  2021-11-04 14:28
晶湛半导体8寸GaN项目开建
 评论 ⋅  2021-11-03 15:42
第三代半导体为什么这样火？4 张图秒懂GaN、SiC 关键技术
 评论 ⋅  2021-10-29 19:38
西电郝跃院士团队成功突破柔性高性能GaN半导体外延材料与器件制备技术
 评论 ⋅  2021-10-29 11:57
预估2025年GaN于快充市场渗透率将达到52％
 评论 ⋅  2021-10-26 17:04
千呼万唤始出来的苹果GaN快充，拉开下一个GaN爆点的序幕
 评论 ⋅  2021-10-21 13:44
华微电子：公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术
 评论 ⋅  2021-10-20 15:58
苹果上架首款GaN充电器，售价729元
 评论 ⋅  2021-10-20 15:11
英诺赛科邹艳波：All-GaN系列方案在快充领域的应用
 评论 ⋅  2021-10-11 15:29
【CASICON 2021】苏州能讯高能半导体Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射频GaN晶体管模型、趋势和挑战
 评论 ⋅  2021-09-18 17:55
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-18 14:00
【CASICON 2021】苏州晶湛半导体向鹏：用于新型GaN功率器件的外延技术进展
 评论 ⋅  2021-09-17 16:39
【CASICON 2021】南京邮电大学张珺：基于人工神经网络的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技术
 评论 ⋅  2021-09-16 14:54
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
 评论 ⋅  2021-09-16 11:56
【CASICON 2021】北京大学杨学林：Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
 评论 ⋅  2021-09-16 11:46
【CASICON 2021】西交利物浦大学刘雯：硅基GaN MIS-HEMT单片集成技术
 评论 ⋅  2021-09-16 11:29
【CASICON 2021】青岛聚能创芯刘海丰：面向快充应用的GaN材料和器件技术
 评论 ⋅  2021-09-15 16:50
【CASICON 2021】南京大学陈鹏：低开启/超高压GaN肖特基功率器件研究新进展
 评论 ⋅  2021-09-15 15:48
【CASICON 2021】中科院上海微系统研究所郑理：SOI基GaN材料及功率器件集成技术
 评论 ⋅  2021-09-15 15:18
闻泰科技：加强在中高压Mosfet、化合物半导体产品SiC和GaN产品、以及模拟类产品的研发投入
 评论 ⋅  2021-09-14 16:46
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊：超过SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 10:40
【CASICON 2021】Crosslight创始人李湛明：将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角
 评论 ⋅  2021-09-14 10:02
【CASICON 2021】中国电科首席科学家陈堂胜：低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件
 评论 ⋅  2021-09-14 09:51
【CASICON 2021】南京工业职业技术大学雷建明：GaN功率开关器件及其高频电源应用
 评论 ⋅  2021-09-14 09:42
GaN功率器件未来5-6年的发展趋势
 评论 ⋅  2021-09-13 14:06
CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
 评论 ⋅  2021-09-10 10:21
国产SiC & GaN功率器件已达国际一流水平，组建欧洲销售团队“出海"
 评论 ⋅  2021-09-09 10:26
CASICON 2021前瞻：将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角
 评论 ⋅  2021-09-08 10:45
聚能创芯/聚能晶源总经理袁理将出席2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会
聚能创芯聚能晶源总经理袁理快充应用GaN材料器件技术功率射频
 评论 ⋅  2021-09-06 14:45
CASICON 2021前瞻：南京大学电子科学与工程学院陈鹏教授将出席南京功率与射频半导体应用峰会
南京大学陈鹏教授GaN基肖特基功率器件研究新进展
 评论 ⋅  2021-09-04 12:34
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