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“芯庐州”集成电路产业园一期项目主体结构封顶
 评论 ⋅  2024-05-16 09:03
拓荆科技半导体先进工艺装备研发与产业化项目结构封顶
 评论 ⋅  2024-04-30 15:43
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学魏杰：高速低损耗SOI LIGBT新结构与机理研究
 评论 ⋅  2024-04-24 17:00
CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大学罗小蓉：《氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用
 评论 ⋅  2024-04-18 09:57
捷捷微电子“一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT”专利公布
 评论 ⋅  2024-04-07 13:18
宏微科技取得电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构专利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小
 评论 ⋅  2024-03-25 15:00
长鑫存储“半导体结构及其形成方法、存储器”专利公布
 评论 ⋅  2024-03-14 17:29
比亚迪半导体申请终端结构及其制造方法以及功率器件专利，能够提高耐压值
 评论 ⋅  2024-03-08 15:13
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利，提高整个异质集成结构的热导率
 评论 ⋅  2024-03-06 10:13
晶合集成申请半导体结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-02-23 09:55
中芯国际“电容器结构及其形成方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-02-22 10:30
华海清科集成电路高端装备研发及产业化项目主体结构顺利封顶
 评论 ⋅  2024-02-02 10:49
长电科技申请光电芯片互联封装结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-01-31 17:57
华南师范大学王幸福：GaN微纳结构及其光电子器件研究
GaN微纳米器件紫外探测器件
 评论 ⋅  2024-01-15 13:26
光谷筑芯科技产业园主体结构提前封顶
 评论 ⋅  2024-01-09 18:06
比亚迪半导体申请半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件专利
 评论 ⋅  2024-01-09 10:21
大阪公立大学梁剑波：增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能，以适应实际器件应用
 评论 ⋅  2023-12-22 16:31
IFWS 2023│华南师范大学尹以安：具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
 评论 ⋅  2023-12-18 10:11
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
IFWS 2023│高通量方法辅助筛选和预测半导体界面结构——以β-Ga2O3 /AlN 界面为例
 评论 ⋅  2023-12-05 17:20
IFWS 2023│ 中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
IFWS 2023│厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷研究，合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2023-12-05 16:32
IFWS 2023│中国电子科技集团第五十五研究所黄润华：750V SiC MOSFET元胞结构对器件特性的影响研究
 评论 ⋅  2023-11-29 19:43
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠：利用沟槽结构生长高效率InGaN红光
 评论 ⋅  2023-11-27 22:08
旭光电子：氮化铝结构件已应用于半导体光刻工艺等 且实现销售
 评论 ⋅  2023-11-08 15:59
杭州宝鼎乾芯6英寸半导体项目主体结构全部完成
 评论 ⋅  2023-11-07 20:15
润鹏半导体12英寸集成电路生产线项目主体结构封顶
 评论 ⋅  2023-10-12 17:02
IGBT模块热阻降30%-40%，翠展微电子提出一体化逆变砖模块结构
 评论 ⋅  2023-09-04 13:38
厦门大学教授张洪良：氧化镓薄膜外延与电子结构研究
 评论 ⋅  2023-08-16 14:06
华为公布“芯片堆叠结构及其形成方法、芯片封装结构、电子设备”专利
 评论 ⋅  2023-08-08 15:40
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