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SIA:2022年全球半导体出货量有望
突破
历史最高记录
重大
突破
!科友半导体碳化硅跻身8吋行列,晶体无缺陷最大直径超过204毫米
中国电科46所氮化铝单晶材料关键技术取得重大
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TCL华星、小米科技联合研发,国产2K柔性屏在汉取得历史新
突破
重大
突破
| 国内首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功
国际领先水平!
突破
SiC晶体长厚的关键材料
新型超宽禁带半导体材料厂商铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术
突破
首次提出并主导!我国在半导体国际标准制定方面再获
突破
奥特维:科芯IGBT键合机获龙头客户批量订单 是在车规级IGBT封装领域重大业务
突破
Yole:2027年激光晶圆设备和技术市场将
突破
11亿美元
Manz亚智科技板级封装
突破
业界最大生产面积完美应对产能、成本双挑战
新
突破
!四维图新智芯车规级MCU芯片AC7802x一次性成功点亮
芯片制程
突破
驱动半导体材料需求升级
半导体公司氮矽科技完成A轮融资 力争2024年实现汽车应用领域
突破
首次
突破
万亿!近10年我国集成电路产业复合增长率19%
聚焦建圈强链 成都高新区力争到2025年集成电路产值
突破
2000亿元
突破
SiC生长关键核心材料 解决关键材料“进口”依赖
签单累计
突破
12台!高测股份碳化硅金刚线切片专机交出新的签单
华清电子材料实现了超大尺寸高导热氮化铝陶瓷加热底盘的
突破
吴玲:有效整合资源、
突破
核心技术,“抢跑”第三代半导体
河南发布《关于加快集成电路产业发展的意见》,2025年集成电路产业主营业务收入
突破
100亿元
突破
!一次扩径技术,碳化硅衬底从6英寸直接扩到8英寸!
突破
8英寸碳化硅衬底量产关键难题,与国际差距在2~3年之内!
长电科技:实现4nm芯片封装 先进封装技术方面再度实现
突破
至芯半导体在日盲深紫外器件方面获重大
突破
,单颗芯片发射功率创纪录达到210mW
科友半导体应用电阻长晶炉
突破
高速率高品质SiC晶体生长的关键技术
美国芯片为何如今求着卖?因为中国芯片在快速
突破
业内领先!科友半导体6英寸SiC晶体厚度
突破
32mm
全面自主研发和量产!中机新材在精密研磨抛材料研制方面获多项技术
突破
中科潞安大功率深紫外芯片产品获
突破
性进展,光功率输出在120mW以上
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