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中昊芯英斩获2024年第十九届“中国芯”最高奖“年度重大创新
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晶盛机电:实现8-12英寸半导体大硅片设备的国产化
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英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆,
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广东:力争到2030年取得超10项光芯片核心技术
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工信部:高级自动驾驶技术有望实现新的重大
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国产半导体专用光刻胶领域实现重大
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济南比亚迪今年生产新能源车力争
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立昂晶电:实现磷化铟半导体材料技术
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获评雏鹰企业
国创中心联合研发中心逐步发力,“超高性能同质外延Micro-LED”取得新
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“屏”颈 竞逐未来显示新赛道
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三安光电
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历史性
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芯达半导体签约,实现国产设备“零
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铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新
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科友半导体碳化硅晶体厚度
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中科院金属研究所二维半导体器件研究获得重要
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功率半导体市场腾飞,价值
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华虹半导体一季度研发费用稳步增长 产能利用率
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90%
ASML High-NA EUV光刻机取得
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青禾晶元
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8英寸SiC键合衬底制备!
世纪金芯宣布实现了8英寸SiC关键技术
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中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大
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中国半导体多环节取得
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云南5G基站
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山西新能源装机
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5000万千瓦
湖南:加强集成电路、工业母机、基础软件等关键技术
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