上海瑞华晟申请SiC/SiC复合材料制备方法专利，提升材料抗氧化性
 评论 ⋅  2024-12-20 16:05
南京集芯光电取得一种氮化镓生长加热炉专利，解决氮化镓采取和附着问题，提高产量
 评论 ⋅  2024-12-20 16:01
苏州立琻半导体申请p型AlGaN材料及其制备等专利，提高了p型AlGaN材料的空穴浓度
 评论 ⋅  2024-12-20 15:51
用AI链接芯世界，此芯科技2024生态大会完美收官
 评论 ⋅  2024-12-20 10:15
环球晶圆获芯片法案4.06亿美元补贴，将建设美国首座大批量300毫米硅晶圆工厂
 评论 ⋅  2024-12-20 09:32
上海积塔半导体申请检测晶圆位置的专利，能够确保后续晶圆环切等工艺顺利进行
 评论 ⋅  2024-12-19 17:36
浙江睿熙申请 VCSEL 集成晶圆及其制造方法专利，实现晶圆级别集成
 评论 ⋅  2024-12-19 17:32
森国科申请 MOSFET 结构相关专利，降低饱和电流
 评论 ⋅  2024-12-19 17:10
长飞先进武汉碳化硅基地设备进场
 评论 ⋅  2024-12-19 16:54
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利，实现高频能力
 评论 ⋅  2024-12-19 16:26
中科飞测第1000台集成电路质量控制设备出机
 评论 ⋅  2024-12-19 15:59
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
中微公司宣布成功从美国国防部中国军事企业清单中移除
 评论 ⋅  2024-12-19 14:25
博世获16亿元补贴，将投138亿元发力8英寸SiC芯片！
 评论 ⋅  2024-12-19 13:49
一汽吉林被曝停产数月 8月起未发放工资
 评论 ⋅  2024-12-19 09:16
美国国防部已将中微公司及IDG资本移出制裁清单
 评论 ⋅  2024-12-18 10:51
北方华创拟参设北京集成电路装备产业投资并购二期基金
 评论 ⋅  2024-12-17 14:55
总规模30亿元！北方华创拟参设北京集成电路装备产业投资并购二期基金
 评论 ⋅  2024-12-17 12:58
天岳先进携12英寸导电N型碳化硅衬底亮相SEMICON Japan 2024
天岳先进SEMICONJAPAN碳化硅SiC12英寸碳化硅衬底
 评论 ⋅  2024-12-17 10:48
济南首张！天岳先进获颁ISO 56005等级证书
 评论 ⋅  2024-12-17 08:59
董明珠：格力已完成芯片全产业链建设 没拿国家一分钱
 评论 ⋅  2024-12-16 19:35
总投资1亿欧元，爱思强新研发中心揭牌
 评论 ⋅  2024-12-16 13:52
中船特气：拟1.72亿元收购淮安派瑞100%股权及资产
 评论 ⋅  2024-12-16 11:59
天岳先进荣膺“中国SiC衬底影响力企业”首位及“8英寸SiC先锋”
 评论 ⋅  2024-12-16 11:05
曝至少4家造车新势力争夺极越员工，岚图最积极
 评论 ⋅  2024-12-16 10:01
欠债7200万，俄罗斯大型晶圆厂Angstrom-T宣布破产
 评论 ⋅  2024-12-16 09:26
英飞凌 CEO：将在中国本地化生产芯片以满足客户需求
 评论 ⋅  2024-12-13 09:53
 «上一页   1   2   …   3   4   5   6   7   …   120   121   下一页»   共3621条/121页 
联系客服 投诉反馈  顶部