丹麦科技大学教授欧海燕SiC白光发射主题报告；报告中指出，碳化硅（SiC）是宽间接带隙半导体，发光效率低。 但这种材料除了丰富之外，还具有非常独特的物理性能，如良好的导热性，高击穿电场等。 因此，研究其发光性能是非常有意义的，以便充分利用这种材料。 在这个演讲中，介绍两种方法，即通过施主-受主对掺杂SiC以及用制造多孔SiC的方法来制造发光的SiC。通过氮与硼共同重掺杂SiC，以证明有强烈的黄光发出。 之后，在优化钝化条件之后，多孔SiC发射强蓝绿色的光也被证明。当发黄光的共掺杂SiC和发蓝绿光的多孔Si

德国爱思强股份有限公司电力电子器件副总裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生产率的碳化硅同质外延的程序在大容量生产反应器当中的表现主题报告。他表示，用于高产量生产的高增长率SiC同质外延工艺生长的大容量生产反应器，它是在于每小时二十五微米，更好地，更快速地长外延材料，那么也是在生产领域对于生产厂家来说是一个好事，那么同时它这个结果在之间出的效果，尤其是在一千二百伏元器件体现出来。预计2018年这种全面的自动化技术的使用，会使得我们整个产业会有大量的一个客户量的增长。

南京电子器件研究所黄润华博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的设计与制造关键点。他表示，未来的工作主要还是针对一千两百伏到一千七百伏的企业，要实现一个产品化，目前提供可生产性基本满足产品要求，未来就是为了降低电阻，提升我们的可靠性，还要进行下一步的研究。再下一步要开发三千三百伏到一万伏，争取到五千伏的时候推出一些产品。

该视频为：超凡数据与咨询事业部检索业务高级总监马志勇主讲的《SiC国际知名企业专利布局策略与竞合动向》报告。 他表示：“研发者首先要注重和用专利，注意你的核心技术你的专利，要用拳头保护咱们的产品。要用专利的挖掘与布局来保护我们的产品和研发。并且通过专利分析可以找到合作者，补全我们产业链的一环，增强实力。这些巨头是一个竞争，我们要关注它的专利，规避我们的风险，通过专利分析这些东西都是潜在可能的。”

该视频为：日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong主讲的《SiC功率芯片贴片模组低应力连接技术》报告。为SiC芯片的键合，研究了一种烧结微孔和钨(W)薄膜的夹层结构。芯片粘连层被设计为微孔Ag/钨/微孔Ag以便增加粘连层厚度，从而实现低应力的SiC功率模块。Ag膏的厚度为0.1mm，而钨的厚度分别为0.1mm和0.5mm。粘连层剪切强度高达60Mpa，1000次热循环（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此烧结技术最有希望应用于高温工作的低应力的SiC功率模块。 第三代半导体材料主要包

大连理工大学王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的钝化技术及电子性能”报告中介绍了缺陷到底是什么样子，缺陷如何去钝化以及进一步的研究工作进展。并把下一步的工作和进一步实用化的相关内容，包括产业方向上的发展做了详细介绍。并介绍了核心的钝化技术，比较独特，这个钝化它的研究都是建立在它的物理技术之上，所以这个测试比较强。