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  • 天马微电子秦锋：Micr

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    天马微电子秦锋：Micr
    Micro-LED 显示产业化进展与挑战秦锋天马微电子集团研发中心总经理、Micro-LED研究院院长QIN FengGeneral Manager of the RD Center and President of Institute of Micro-LED, Tianma Microelectronics Co., Ltd.
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    guansheng2023-05-19 09:53

  • 厦门大学张荣 教授:氮

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    厦门大学张荣 教授:氮
    第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究
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    guansheng2022-09-10 15:43

  • 江苏第三代半导体研究

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    江苏第三代半导体研究
    GaN基Micro-LED同质外延及其性能表征王国斌*，闫其昂，周溯沅，李增林，苏旭军，刘宗亮，王建峰，徐科江苏第三代半导体研究院有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司
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    guansheng2022-09-01 11:36

  • 南京大学庄喆：InGaN

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    南京大学庄喆：InGaN
    InGaN基红光Micro-LED器件研究庄喆*，刘斌，张荣南京大学
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    guansheng2022-09-01 11:34

  • 复旦大学单心怡：单片

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    复旦大学单心怡：单片
    单片集成发光探测的深紫外micro-LED阵列光通信应用单心怡，田朋飞*，朱世杰，仇鹏江，钱泽渊，林润泽，汪舟，崔旭高复旦大学
    64800
    guansheng2022-09-01 11:32

  • 清华大学汪莱：GaN基

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    清华大学汪莱：GaN基
    GaN基高速蓝绿光Micro-LED研究进展汪莱*，王磊，李振浩，郝智彪，罗毅清华大学
    56900
    guansheng2022-09-01 11:30

  • 北京大学陈兆营：面向

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    北京大学陈兆营：面向
    面向氮化物全彩显示的InGaN基红光Mini/Micro-LED研究陈兆营，盛博文，刘放，李铎，袁泽兴，葛惟昆，沈波，梁文骥，赵春雷，闫龙，Jason Hoo，郭世平，王新强*北京大学
    87800
    guansheng2022-09-01 11:23

  • 郭浩中：新型 Micro-L

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    郭浩中：新型 Micro-L
    《新型 Micro-LED 在显示与通信领域的应用》郭浩中 教授 台湾交通大学
    37800
    limit2022-01-11 10:00

  • 田朋飞：基于Micro-LE

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    田朋飞：基于Micro-LE
    《基于Micro-LED阵列的水下双工可见光通信及水下充电系统》作者：林润泽，崔旭高，田朋飞单位：复旦大学信息科学与工程学院
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    limit2022-01-10 10:26

  • 云峰：Lasing charact

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    云峰：Lasing charact
    Lasing characteristics of GaN-based whispering gallery mode optical microcavityAuthor/作者：Feng Yun（云峰）, Peng Hu（胡朋）,Yufeng Li（李虞锋）, Qiang Li（李强）,Ye Zhang(张烨)Institute：Shaanxi Provincial Key Laboratory of PhotonicsInformation Technology, Xian Jiaotong University
    8700
    limit2022-01-05 15:49

  • 李思哲：用于Micro LE

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    李思哲：用于Micro LE
    《用于Micro LED驱动的ZnO短沟道薄膜晶体管》作者：李思哲，陈雪，吴昊，刘昌单位：武汉大学物理科学与技术学院人工微结构教育部
    25400
    limit2022-01-05 13:24

  • 龚政：氮化镓基Micro-

    3770

    龚政：氮化镓基Micro-
    《氮化镓基Micro-LED巨量转移及红光芯片进展》作者：龚政单位：广东省科学院半导体研究所
    37700
    limit2022-01-05 13:22

  • 李虞锋：Nanoscale Ch

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    李虞锋：Nanoscale Ch
    Nanoscale Characterization of Surface Plasmon-Coupled Photoluminescence Enhancement in Pseudo Micro Blue LEDs Using Near
    9200
    limit2022-01-05 13:20

  • 刘斌：量子点/氮化物

    1890

    刘斌：量子点/氮化物
    《量子点/氮化物半导体集成结构的Micro-LED器件制备与应用》作者：刘斌，许非凡，余俊驰，陶涛，陆海，陈敦军，张荣单位：南京大
    18900
    limit2022-01-05 11:31

  • 【视频报告 2018】加

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    【视频报告 2018】加
    加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到，基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外，Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。
    66700
    limit2021-04-29 12:30

  • 【视频报告 2018】德

    11250

    【视频报告 2018】德
    德国爱思强产品管理总监Jens VOIGT介绍了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解决方案》主题报告。他介绍说，爱思强的行星式反应器平台是生产具有最高一致性、重复性和缺陷控制标准的化合物半导体器件的已建立的平台，例如用VCSEL激光器证明的3D传感器技术，这是当前高容量需求的关键驱动因素之一。同样的要求组合也适用于Micro-LED技术：在低的缺陷水平下，结合外延层的高通量结构具有非常高的精度。行星式反应器平台技术已经被
    112500
    limit2021-04-29 12:29

  • 【视频报告 2018】北

    8600

    【视频报告 2018】北
    北京大学陈志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》报告中指出，我们制作不同直径微柱LEDs不同波长和不同的基质。测量了电致发光(EL)谱和电流-电压(I-V)曲线。高饱和电流密度达到300 kA / cm2 20m紫外线导致氮化镓衬底。效率为LEDs下垂也大大提高。采用横光软件模拟高注入水平下的输运和重组过程。综合量子漂移-扩散模型考虑了多体效应。并介绍了超高注入机理。
    86000
    limit2021-04-29 12:29

  • 【视频报告 2018】香

    24250

    【视频报告 2018】香
    香港科技大学首席刘纪美教授在《Micro-LED显示屏：单片方法的优点和问题》报告中指出，大面积的LED显示器和普通照明应用中的成熟的LED技术很常见。近年来，LED在微显示器上的应用越来越受到人们的关注。与其他现有的微显示技术相比，led在效率、亮度、寿命、温度稳定性和鲁棒性等方面具有优势。最重要的是在明亮的日光下的能见度。
    242500
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】南

    18960

    【视频报告 2018】南
    南方科技大学副教授刘召军在《多功能化氮化镓基高分辨率Micro-LED显示器》研究报告。
    189600
    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】德

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    【视频报告 2018】德
    广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌介绍了《Micro 和 Mini LED 焊接技术》主题报告。
    26000
    limit2021-04-29 12:27

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