碳化硅生长和衬底建模以及基于MOVPE技术的氮化镓生长模拟 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia
蓝宝石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱结构的激光二极管中n-p电极对于p型电导率的影响 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS郑州大学 Mussaab I. NIASSZhengzhou University
报告简介：基于深层瞬态光谱学的Al/Ti 4H-SiC肖特基结构缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亚伟 中国科学院半导体研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
美国智能照明工程技术研究中心主任, 美国伦斯勒理工学院教授Robert F. KARLICEK做了题为 LED和LED封装的未来趋势的主题报告，探讨了一些可能性，包括未来的城市照明需求、照明和视频的融合可能性、以及其他LED照明系统在未来的应用。 Robert F. KARLICEK教授有超过25年与产业领头人（包括ATT Bell Labs、EMCORE、通用电气、Gore Photonics和Microsemi）合作进行光电器件的研究、研发、和制造的经验。他的主要研究重点是开发了固态
美国智能照明工程技术研究中心主任、美国伦斯勒理工学院教授Robert F. KARLICEK分享了《针对叶菜利用动态光谱调节提升生长效率和营养水平：初期研究》主题报告。 随着LED技术的发展，可以同时优化光照的光谱特性和动态特性，从而对植物生长产生有益的影响。本次讲座将重点介绍LESA最近在使用定制光谱和脉冲光生长协议促进红莴苣生长方面的一些工作，重点是提高植物生长速度和营养价值。光谱可以影响植物的整体生长效率和代谢副
