赵德刚:GaN材料碳杂
1840
江晓松:宽禁带半导体
1250
吕泽升:High Perform
520
李思哲:用于Micro LE
2540
龚政:氮化镓基Micro-
3770
李虞锋:Nanoscale Ch
920
程凯:新型GaN外延结
2260
刘斌:量子点/氮化物
1890
黄思溢:基于水平常压
2520
余佳东:等离子体密度
2640
赵见国:非极性(11-20
2620
宋文涛:液态铟氮化生
1490
张峰:Atomic layer d
2180
黄丰:宽禁带半导体材
3570
石芝铭:宽禁带III族
1570
刘志彬:溅射中痕量氧
2560
陈荔:基于高温热退火
2160
Ye Yuan: The prepara
魏同波:石墨烯驱动的
1640
许福军:AlGaN基深紫
3430