垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。

奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官吴亮分享《高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战》。

【极智课堂】晶能光电王琼： 硅衬底UV LED技术与应用

挪威科学技术大学教授，挪威科学技术院院士Helge WEMAN带来了题为采用石墨烯衬底和透明底部电极的AlGaN纳米线外延 UV LED的主题

视频简介：下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

碳化硅生长和衬底建模以及基于MOVPE技术的氮化镓生长模拟 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia

同步辐射X射线衍射法实现氮化镓衬底及同质外延薄膜晶格面倾斜可视化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长，东京工业大学兼职教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

奥趋光电吴亮：高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战

乾照光电目前是国内比较领先的红光制造商，来自乾照光电股份有限公司技术副总监陈凯轩分享了“蓝宝石衬底AlGaInP红光LED外延和芯片制作工艺”报告。他首先介绍了蓝宝石衬底AlGaInP红光LED外延和芯片制作工艺。 此外他表示，目前主流的会议室或者是户外主流使用的显示技术是LED、DLP、LCD三种，这三种显示技术LED是主动式的发光，相对于另外两种被动式的发光，它的对比度，还有它显示效果要更加的优异，现在基本上在户内、户外的显示都是逐步被LED取代。另外一个很重要的区别，DLP、LCD的拼接模块

北京大学教授陈志忠介绍了基于纳米图案蓝宝石衬底通过MOCVD生长蓝绿色LED。陈志忠表示，GaN基青光LED通过低压金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长得到。首先在成核层上进行两步法高温生长GaN模板，接着在模板上生长青光LED，波长为490nm。通......请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！