加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到，基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外，Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。

复旦大学副教授张树宇在《135%NTSC色域的CsPbX3钙钛矿量子点薄膜》主题报告中表示，全无机CsPbX3 (X=I, Br, Cl)钙钛矿量子点(QDs)由于其优异的光学性能，包括极高的光致发光量子产率、狭窄的谱线宽度和广泛的可调发射，很可能成为下一代量子点显示技术。在制造过程中避免高温和惰性气氛的新方法是室温(RT)再结晶，为低成本大批量生产CsPbX3 QDs提供了一条很有前途的途径。然而，RT合成的QDs在工作条件下的稳定性性能与传统QDs不具

北京北方华创微电子装备有限公司产品总监董博宇带来了《磁控溅射制备的ITO薄膜在LED领域中的开发及应用》主题报告。

深圳大道半导体有限公司总经理兼产品总监李刚带来了薄膜倒装芯片及其芯片级封装与应用的报告，分享了一系列制备薄膜倒装芯片的关

厦门大学副教授林岳分享了聚合物薄膜中MAPbBr3量子点降解的研究成果，合成了聚合物包覆MAPbBr3量子点（平均直径3nm），通过研究

中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告，分享了该领域的研究动态以及研究成果。

西安交通大学副教授李强做了题为射频溅射技术制备h-BN薄膜的制作与应用的主题报告，分享了溅射制备的hBN膜,包括工艺条件的选择，hBN的性质，以及hBN膜的应用，包括电阻开关行为等内容。 报告指出，所制备的hBN膜可以在大面积上获得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜组成的DBR可以在UVA波段实现高反射。首先在Ag / hBN / Al结构中观察到通过溅射制备的hBN膜的RS行为。掺铝氮化硼薄膜的RS窗口明显增加。

郑州大学教授刘玉怀做了题为氮化铝/蓝宝石模板上六方氮化硼薄膜的有机金属气相外延研究的报告，介绍了多层h-BN膜的表面和结晶度、微观结构和键合结构。h-BN在AlN上的生长模型等研究内容。研究成功证明了通过脉冲模式MOVPE在AlN模板上直接生长单晶多层h-BN，在AlN表面上形成连续和聚结的多层h-BN，提出了初始帽形核的生长模型，然后在AlN上进行h-BN的二维横向生长。

同步辐射X射线衍射法实现氮化镓衬底及同质外延薄膜晶格面倾斜可视化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长，东京工业大学兼职教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川分享了关于Ga2O3薄膜的光学和结构特性的研究成果。冯哲川从事于第三代半导体研发已二三十年, 至今编辑出版了半导体及显微结构，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化锌，固态照明及LED 领域的11-本英文专著，