西安交通大学教授王宏兴做了关于微机电系统单晶金刚石微结构制备的报告。

西安电子科技大学副教授郑雪峰介绍了新型AlGaN/GaN HEMT Fin结构的研究报告。

广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川分享了关于Ga2O3薄膜的光学和结构特性的研究成果。冯哲川从事于第三代半导体研发已二三十年, 至今编辑出版了半导体及显微结构，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化锌，固态照明及LED 领域的11-本英文专著，

中国科学院微电子研究所研究员黄森分享“基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造”报告。 中国科学院微电子研究所研究员黄森表示，超薄势垒（UTB）AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积（LPCVD）生长的SiNx钝化膜，有效地减少了超薄势垒（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN异质结构中2维电子气体（2DEG）的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出

美国密歇根大学教授Pei-Cheng KU 分享了照明和显示应用GaN纳米结构的局部应变工程技术。Pei-Cheng Ku自2012年起，成为美国密歇根大学电机工程与计算机系副教授。现在KU教授的研究专注在“节能光电”，具体包括氮化镓光电器件、纳米光电器......请您在WIFI条件下观看！或下载极智APP收藏反复观看！