徐现刚:碳化硅单晶衬
5270
徐科:氮化镓单晶材料
3320
蒋科:宽禁带氮化物半
1030
朱海:宽禁带半导体微
890
陆文强:一维ZnGa2O4
340
张文辉:升华法生长β
1080
陈凯:基于MPCVD法异
2090
穆文祥:氧化镓单晶生
720
汤潇:全溶液法沉积柔
1720
张逸韵:高温气氛退火
620
唐宁:氮化镓量子阱中
1640
徐童龄:基于NiO/β-
540
张亚民:基于脉冲信号
760
刘红辉:光照下AlGaN/
1620
陈鹏:GaN基肖特基功
3130
吴帆正树:碳化硅沟槽
1040
叶建东:氧化镓基双极
2840
李忠辉:新型Al(Ga)N/
2070
李天义:SiC紫外单光
1500
杨伟锋:碳化硅(4H-Si
3070