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  • 视频报告 2017 |CSA产

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    视频报告 2017 |CSA产
    极智报告：特邀国家半导体照明工程研发及产业联盟产业研究院院长郝建群分享《半导体照明产业十三五发展规划与LED智慧照明发展》主题报告。
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    limit2018-04-01 12:40

  • 极智报告|中国标准化

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    极智报告|中国标准化
    报告中，他首先介绍了健康照明研发的重点以及十三五的光健康项目。他表示，要从光品质的特征与显性健康的生理量表达出发，建立以视觉生理指标为主体的，涵盖非视觉生物效应与显性生理量的光健康人因学评价体系，解决半导体照明参数与人体健康之间的影响机制这一科学问题，构建客观量化评价半导体照明的短、中、长期生理影响的研究路径。 他提出健康照明的五大研究重点： 其一是光谱能量分布对于人的视觉、非视觉、脑功能、皮肤及代
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    limit2018-02-01 11:38

  • 极智报告|浙江大学教

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    极智报告|浙江大学教
    浙江大学教授泮进明，结合实践及案例，分享了养鸡场LED的应用。他表示，我们需要把养殖场很多实际的条件，对防水、防灰尘、光的要求等总结出来，以便可以更好的应用实践。
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    limit2018-02-01 11:14

  • 中国科学院微电子研究

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    中国科学院微电子研究
    中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。
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    limit2018-02-01 10:49

  • 【极智课堂】华中科技

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    【极智课堂】华中科技
    本期嘉宾华中科技大学教授、博士生导师陈明祥为大家分享《紫外/深紫外LED封装技术与工艺研究》
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    limit2024-11-23 15:07

  • 新闻联播：李克强总理

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    新闻联播：李克强总理
    2012年6月18日，中共中央政治局常委、国务院副总理李克强到中国科学院半导体所考察。了解半导体照明联合创新国家重点实验室产品研发和创新情况。
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|日本理化所

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    极智报告|日本理化所
    极智报告|日本理化所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究进展 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|日本大阪大

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    极智报告|日本大阪大
    极智报告|日本大阪大学高悦：铜颗粒烧结贴片连接SiC-MOSFET的长期可靠性研究进展 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。
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    limit2024-11-23 15:07

  • 中科院电工所研究员温

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    中科院电工所研究员温
    极智报告推荐：中科院电工所研究员温旭辉分享的《半导体功率模块在新能源汽车中应用》主题报告。更多精彩报告，请点击页面顶端下载极智头条APP，海量专业学术报告任性看！
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|中科院半导

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    极智报告|中科院半导
    中科院半导体研究所的研究员总工程师伊晓燕分享了“氮化物纳米线可控生长与器件应用展望”主题报告。 她表示，目前从芯片发展趋势技术上来看，一个是性能的提升，可以用纳米线的新的结构形式去考虑，从器件的结构上怎么样提高性能。第二个芯片发展到这个阶段，将来的天花板是显示屏等等，我们面临非常广泛的应用空间，从应用的角度可以提出来对芯片的要求，我们可以根据应用设计出来全新结构的芯片结构形式，现在提的比较多的农业、可穿戴、定位和通讯、显示，论坛上MicroLED显示还是大家非常关注的，还有智能光源、智慧城市跟光电的集成
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|康美特总工

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    极智报告|康美特总工
    北京康美特科技股份有限公司总工程师孙宏杰针对公司生产的SMC支架做了“大功率LED用SMC支架材料的研究现状和发展趋势”报告，报告指出康美特目前所具备的竞争优势：一是树脂的合成、纯化；二是添加剂的合成以及配方工艺及质量控制方面的优势。更多精彩报告，请关注下载极智头条APP！
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|维信诺高级

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    极智报告|维信诺高级
    维信诺OLED显示器先锋立足中国，一直专注于OLED技术的发展和大规模生产OLED产品。维信诺高级技术研究院高级技术人员陈建平分享了“AMOLED显示屏：技术现状及应用”主题报告。他表示，2015年我们已经开始有批量生产的玻璃为基础的刚性AMOLED面板。最近，我们已经取得了相当的技术进步为基础的柔性基板AMOLED， G6代柔性AMOLED面板线2018年也将投产。
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|中科院半导

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    极智报告|中科院半导
    中国科学院半导体研究所副研究员杨华在介绍了照明与显示技术的集成框架研究报告。他表示，技术、成本和应用场景是照明与现实技术融合的关键因素。通过对光源技术发展的分析目前主要的照明技术与显示技术的基本架构、控制难度和成本组成。给出了照明与现实技术融合的技术与成本条件。同时对照明与现实技术融合的应用场景进行了分类分析。 　　照明和显示的融合是随着灯具技术适应更多样化的需求以及显示控制技术成本的降低，使得产品既能提供一定显示功能，同时也能够提供照明功能技术趋势，它主要涉及到的技术内容可能包括廉价怎么降低成本
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|中科院苏州

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    极智报告|中科院苏州
    中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员刘建平在做“镓氮基蓝光与绿光激光二极管的发展”报告时表示，对GaN基蓝色和绿色的激光二极管（LD）的研究已经引起人们的广泛关注，在过去的几年里，为了满足激光显示应用的需求。我们提高了发光均匀性和减少基蓝光LD结构面自支撑GaN衬底上生长GaN的内部损失。同质外延GaN层的形貌是由边角料取向和GaN衬底角度很大的影响。并且通过工程InGaN/GaN量子阱的界面，我们已经实现了绿色激光器结构1.85 kA cm-2低阈值电流密度。在室温连续波作用下，绿光LD的输出功率为
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|耶鲁大学研

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    极智报告|耶鲁大学研
    耶鲁大学研究科学家宋杰分享了“纳米孔GaN作为高反射和熔覆层的III族氮化物激光器”报告。他表示，我们制备了由纳米孔状的GaN和无孔GaN薄膜的周期结构组成的布拉格反射层，通过4～5对的DBR层就获得了高达99.9%的放射率，并且显著地提高了激光二极管结构中的光学限制因子，使得阈值材料gain降低至400cm-1，比之前报道的低了二倍，表明我们可以显著地降低激光器的开启阈值电流以及提高光电转化效率。同时，我们也采用纳米孔状的GaN和无孔GaN组成的布拉格反射层引用到VCSEL结构中，实现了光激射的VCSE
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|中国科学院

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    极智报告|中国科学院
    中国科学院半导体研究所梁萌分享了“二位缓冲层氮化物异质外延”研究报告；他介绍说，石墨烯缓冲层氮化物异质外延，初步实现了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯边界与Bridge site，将优先成核位置。我们在石墨烯上来进行一个类似纳米柱上的生长，做了一些研究，通过调整晶核生长得到纳米柱的结构，在图形化的衬底上也长出来一些趋向比较一致的石墨烯的纳米柱，但是这根趋向一致性主要是硅的衬底，因为石墨烯是单纯的材料，石墨烯生长会受到衬底的影响，所以硅是单层多层，单层的话趋向是非常一致的，层数变多会有一定的紊乱，加氮受到衬底的
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|瑞典查尔姆

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    极智报告|瑞典查尔姆
    瑞典查尔姆斯理工大学副教授Jie SUN带来了关于GaN光电器件CVD石墨烯透明电极研究进展，让与会代表拍手称赞！ 石墨烯传统上是通过石墨机械剥落制备的，且大面积单层石墨烯的制备很有挑战性。为此，化学气相沉积（CVD）在过渡金属上石墨烯最近被发展。自2009年以来，在Chalmers我们已经在金属箔（Cu，Pt，Ta等）上生长了单层石墨烯，在硅衬底上蒸镀了金属薄膜.9-9 CH4或C2H2作为反应物，石墨烯通过商业直冷式Aixtron系统生长。通过湿化学法蚀刻铜或更环保的电化学气泡分层，石墨烯可以转移到
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|南京电子器

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    极智报告|南京电子器
    南京电子器件研究所高级工程师吴少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的报告。围绕高输出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吴少兵详细介绍了器件技术与制造工艺 、MMIC设计、MMIC的表征等内容，介绍了一种采用Lange桥耦合及微带匹配的平衡式4级功率放大器。器件采用电子束直写工艺在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的“T”型栅结构以及最新成果。 吴少兵一直从事固态微波毫米波器件的研发工作。作为项目负责人，主持开发了基于0.1um G
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    limit2024-11-23 15:07

  • 极智报告|中国电子科

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    极智报告|中国电子科
    中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家，国际电工技术标准委员会专家，研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。 其中，冯志红表示，氮化镓与氮化铝是非常好的搭配，会带来比较高的功率，相比其他一些结构更加优化，也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域，希望增加输出功率。结合具体的建模分析，冯志红表示，降低延迟，为了获得信号而降低
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  • 极智报告|西安电子科

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    极智报告|西安电子科
    西安电子科技大学副教授郑雪峰介绍了新型AlGaN/GaN HEMT Fin结构的研究报告。
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    limit2024-11-23 15:07

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